基于納米材料和多T堿基DNA序列的汞離子熒光傳感器制備
【學位授予單位】:濟南大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2019
【分類號】:O657.3;TP212;TB383.1
【圖文】:
圖 2.1 熒光傳感器的構建過程離子的檢測汞離子的檢測,整個實驗過程分為三步。第一步,將 GO 溶液(最終和 AO 溶液(最終濃度,1 μM)加入到 Tris-HAc 緩沖溶液中,反應 溶液(最終濃度,1 μM),H-G4 溶液(最終濃度,1 μM)和一系列液(0.50, 2.00, 8.00, 10.00, 20.00, 30.00, 50.00, 80.00 nM)于緩沖溶液成 T-Hg2+-T 結構和 G-四聯體結構;第三步,將上述反應完成后的兩反應 24 min,立即對其進行熒光信號強度的測試(激發(fā)波長為 490 射光譜。最后,我們還將此構建的熒光傳感器用于實際水樣中 Hg2+的人滿意的實驗結果。與討論
圖 2.2 GO 的 SEM (a) 和 TEM (b) 表征圖感器檢測機理光傳感器的傳感機制如圖 2.1 所示。P2(5′-GTT GGG TTT GCT-3 TAT CCC ATC GGG TTG GGC GGG ATG GGAT-3′)是兩條富 T 堿來特異性識別檢測汞離子。同時 H-G4 還是一段富含 G 堿基的 DN條件下,H-G4 可以折疊形成 G-四聯體結構[52],H-G4 的富 T 部分序g2+反應生成 T-Hg2+-T 結構。AO 與 GO 之間存在著 π-π 共軛作用和在 GO 表面形成 AO/GO 復合物。在這里,GO 作為熒光猝滅劑,熒光信號的降低(圖 2.1 中 a 過程)。在 Hg2+存在的情況下,P2 序序列的 5′端發(fā)生雜交反應,發(fā)卡型結構的 H-G4 序列被打開,形成 聯體結構(圖 2.1 中 b 過程)。當 AO/GO 復合物與形成的 G-四聯由于 AO 與 G-四聯體結構之間存在著一種更強的結合力,AO/GO
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本文編號:2725723
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