【摘要】：采用真空熱阻蒸方式在CMOS圖像傳感器感光面上鍍制不同厚度性比價高的Lumogen薄膜.研究發(fā)現(xiàn)不同Lumogen薄膜厚度的CMOS傳感器的暗電流噪聲未發(fā)生明顯變化,說明真空熱蒸發(fā)方式對互補金屬氧化物半導體器件本身未造成熱損傷;光響應非均勻度隨膜厚增加而增大;動態(tài)范圍卻隨膜厚增加而減小;量子效率隨膜厚增加呈現(xiàn)先增大后減小.同時,研究發(fā)現(xiàn)敏化膜層最佳厚度為389nm,此時CMOS傳感器的量子效率提高了10%,且光響應非均勻度,動態(tài)范圍均在相對較好的范圍內.
[Abstract]:Lumogen thin films with different thickness and high price were deposited on the photosensitive surface of CMOS image sensor by vacuum thermal resistance. It is found that the dark current noise of CMOS sensors with different thickness of Lumogen films does not change obviously, which indicates that the vacuum thermal evaporation does not cause thermal damage to the complementary metal oxide semiconductor devices, and the non-uniformity of optical response increases with the increase of film thickness. The dynamic range decreases with the increase of film thickness, and the quantum efficiency increases first and then decreases with the increase of film thickness. At the same time, it is found that the optimal thickness of the sensitized film is 389nm, and the quantum efficiency of the CMOS sensor increases by 10%, and the optical response is non-uniform, and the dynamic range is in a relatively good range.
【作者單位】： 上海理工大學光電信息與計算機工程學院上海市現(xiàn)代光學系統(tǒng)重點實驗室教育部光學儀器與系統(tǒng)工程研究中心;
【基金】：上海高校青年教師培養(yǎng)資助計劃~~
【分類號】：TP212

【參考文獻】

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本文編號：2207932