帶弱奇異核的偏積分微分方程能夠表征記憶材料等新材料的機理和特性。采用Crank-Nicolson/sinc組合方法,利用Crank-Nicolson方法的高收斂精度,結合sinc配置方法的指數(shù)收斂,在時間方向采用Crank-Nicolson方法,在空間方向采用sinc配置方法,對帶弱奇異核的偏積分微分方程進行離散,得到全離散格式,進而推導出相應的矩陣形式。全離散格式在時間方向上能達到1.5階收斂,相比歐拉方法高0.5階;在空間方向上也能達到比線性收斂更快速的收斂速度。Crank-Nicolson/sinc組合方法可推廣到分數(shù)階偏微分方程等更加復雜的方程的求解,以推動記憶類新材料等研發(fā)技術探索。 

【文章來源】：工業(yè)技術創(chuàng)新. 2020,07(05)

【文章頁數(shù)】：4 頁


本文編號：3236250