MEMS角振動(dòng)陀螺的結(jié)構(gòu)建模與仿真分析
本文關(guān)鍵詞:MEMS角振動(dòng)陀螺的結(jié)構(gòu)建模與仿真分析
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【摘要】:作為MEMS技術(shù)的一個(gè)重要應(yīng)用領(lǐng)域,MEMS陀螺以其低成本、體積小、可靠性高、功耗低等優(yōu)點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于汽車、電子以及航空航天等各個(gè)領(lǐng)域,是各國(guó)關(guān)注的重點(diǎn)研究技術(shù)之一。鑒于上述背景,本文設(shè)計(jì)了一種抗過(guò)載、高靈敏度、100Hz帶寬的角振動(dòng)陀螺結(jié)構(gòu),理論分析了該結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)力矩和科氏力矩,建立了陀螺兩工作模態(tài)的動(dòng)力學(xué)方程,得到了機(jī)械靈敏度、帶寬的解析表達(dá)式。分析了陀螺兩工作模態(tài)的氣體阻尼,并從熱彈性損耗的角度分析了硅基諧振陀螺高Q值的實(shí)現(xiàn)方式。其次,基于ANSYS有限元仿真分析技術(shù),完成了陀螺的模態(tài)分析、熱彈性阻尼分析、滑膜和壓膜阻尼分析、抗過(guò)載分析以及驅(qū)動(dòng)幅度分析。仿真結(jié)果表明,設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)滿足帶寬的設(shè)計(jì)目標(biāo),在高真空度下具備高Q值的實(shí)現(xiàn)可能,且具有在無(wú)保護(hù)裝置下抗高過(guò)載的能力。通過(guò)與實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)比,驗(yàn)證了陀螺Q值和抗過(guò)載能力的仿真結(jié)果。最后,基于層合理論建立了角振動(dòng)陀螺封裝的解析模型,計(jì)算了熱應(yīng)力導(dǎo)致的芯片彎曲及其曲率半徑。在此基礎(chǔ)上,從工藝中鍵合誤差的角度,建立了基于熱應(yīng)力和鍵合誤差的零偏溫度特性的解析計(jì)算模型,解釋了角振動(dòng)陀螺的零偏溫度特性。通過(guò)與三個(gè)批次陀螺實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的對(duì)比,驗(yàn)證了該計(jì)算模型,并給出了封裝的定量?jī)?yōu)化。
【關(guān)鍵詞】:MEMS陀螺 有限元分析 抗過(guò)載 層合模型
【學(xué)位授予單位】:蘇州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2015
【分類號(hào)】:TH824.3
【目錄】:
- 中文摘要4-5
- abstract5-9
- 第一章 緒論9-15
- 1.1 論文的研究背景和意義9-10
- 1.2 國(guó)內(nèi)外研究概述10-14
- 1.3 論文主要研究?jī)?nèi)容14-15
- 第二章 角振動(dòng)陀螺設(shè)計(jì)基礎(chǔ)15-29
- 2.1 科氏效應(yīng)15-16
- 2.2 工作原理16-19
- 2.2.1 驅(qū)動(dòng)力矩17-19
- 2.2.2 科氏力矩19
- 2.3 角振動(dòng)陀螺動(dòng)力學(xué)分析19-22
- 2.4 阻尼分析22-28
- 2.4.1 氣體阻尼流場(chǎng)模型22-24
- 2.4.2 滑膜阻尼24-26
- 2.4.3 壓膜阻尼26-27
- 2.4.4 熱彈性阻尼27-28
- 2.5 小結(jié)28-29
- 第三章 角振動(dòng)陀螺的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與仿真29-44
- 3.1 角振動(dòng)陀螺的整體設(shè)計(jì)方案29-31
- 3.2 有限元簡(jiǎn)介31-32
- 3.3 模態(tài)仿真分析32-34
- 3.4 阻尼分析34-42
- 3.4.1 熱彈性阻尼仿真分析34-37
- 3.4.2 滑膜阻尼分析37-39
- 3.4.3 壓膜阻尼分析39-41
- 3.4.4 Q值的實(shí)驗(yàn)對(duì)比41-42
- 3.5 驅(qū)動(dòng)幅度與靈敏度分析42-43
- 3.6 小結(jié)43-44
- 第四章 角振動(dòng)陀螺過(guò)載分析44-52
- 4.1 沖擊動(dòng)力學(xué)基礎(chǔ)44-46
- 4.2 沖擊過(guò)載的靜力等效46-48
- 4.3 硅材料的強(qiáng)度48-49
- 4.4 過(guò)載靜力學(xué)仿真49-50
- 4.5 抗過(guò)載實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證50-51
- 4.6 小結(jié)51-52
- 第五章 角振動(dòng)陀螺零偏溫度特性分析52-61
- 5.1 層合模型52-55
- 5.2 鍵合誤差對(duì)零偏溫度特性的影響55-59
- 5.3 零偏溫度特性的改善59-60
- 5.4 小結(jié)60-61
- 第六章 總結(jié)與展望61-62
- 6.1 總結(jié)61
- 6.2 展望61-62
- 參考文獻(xiàn)62-65
- 發(fā)表論文、專利情況65-66
- 附錄66-68
- 致謝68-69
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