硅微電容式加速度計熱致封裝效應(yīng)的層合分析
發(fā)布時間:2017-07-16 07:23
本文關(guān)鍵詞:硅微電容式加速度計熱致封裝效應(yīng)的層合分析
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【摘要】:由封裝結(jié)構(gòu)熱失配引入的應(yīng)力和結(jié)構(gòu)變形會對MEMS器件性能產(chǎn)生顯著影響,即熱致封裝效應(yīng)。為描述該效應(yīng),一種基于縮減剛度矩陣的層合板模型被用來對硅微電容式加速度計的封裝進(jìn)行了建模。利用經(jīng)典層合理論,由計算封裝熱失配引入的應(yīng)變和曲率得到敏感檢測電容的溫度特性,以此作為熱致封裝效應(yīng)的評估。并結(jié)合有限元模擬(FEM)對該理論模型進(jìn)行了對比和驗(yàn)證。結(jié)果表明,層合模型能較好地描述硅微加速度計的熱致封裝效應(yīng),并在此基礎(chǔ)上分析了優(yōu)化措施。
【作者單位】: 蘇州大學(xué)微納傳感技術(shù)研究中心;
【關(guān)鍵詞】: MEMS 硅微加速度計 熱致封裝效應(yīng) 層合板 縮減剛度矩陣
【基金】:國家自然基金重點(diǎn)項(xiàng)目(61434003)
【分類號】:TH824.4
【正文快照】: 硅微電容式加速度計在封裝過程中由于材料的熱失配而引入的應(yīng)力和變形對其性能和可靠性有著顯著影響[1-2]。這種熱應(yīng)力在檢測電容極板產(chǎn)生的彎曲直接影響了敏感電容的溫度特性。對于此類問題,通常采用FEM模擬或?qū)嶒?yàn)觀測的方法來計算和優(yōu)化封裝設(shè)計[3-9],缺少相應(yīng)的解析模型。
【參考文獻(xiàn)】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前5條
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本文編號:547609
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