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配置不同類(lèi)型探測(cè)器的X射線熒光測(cè)厚儀對(duì)比研究

發(fā)布時(shí)間:2021-05-17 00:19
  X射線熒光測(cè)厚法是對(duì)電子元器件金屬鍍層厚度進(jìn)行測(cè)量的主要方法之一。本文對(duì)X射線熒光測(cè)厚儀的工作原理、結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,對(duì)其核心組成部分探測(cè)器的三種類(lèi)型的性能參數(shù)進(jìn)行了對(duì)比,并選取相應(yīng)型號(hào)的測(cè)厚儀進(jìn)行了對(duì)比測(cè)試,對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行了分析。 

【文章來(lái)源】:環(huán)境技術(shù). 2020,38(04)

【文章頁(yè)數(shù)】:5 頁(yè)

【文章目錄】:
引言
1 X射線熒光分析法
    1.1 X射線熒光分析的基本原理
    1.2 X射線熒光測(cè)厚儀的基本結(jié)構(gòu)
2 不同類(lèi)型探測(cè)器對(duì)比
    2.1 氣態(tài)和固態(tài)半導(dǎo)體探測(cè)器
    2.2 Si-PIN和SDD探測(cè)器
3 鍍層厚度測(cè)試及分析
    3.1 金屬鍍層結(jié)構(gòu)
    3.2 鍍層厚度測(cè)試方法
    3.3 測(cè)試結(jié)果及分析
4 結(jié)論



本文編號(hào):3190691

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