為了提高經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)中激勵(lì)源的節(jié)能率,該文在脈沖寬度可控經(jīng)顱磁刺激儀（cTMS1）的基礎(chǔ)上,提出一種節(jié)能型激勵(lì)源（EEES）,并設(shè)計(jì)EEES電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開(kāi)關(guān)控制方法。首先,通過(guò)控制開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間,實(shí)現(xiàn)脈沖電流寬度的調(diào)節(jié)。然后,設(shè)計(jì)電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)能量的回收再利用,提高系統(tǒng)的能量利用率。最后,開(kāi)發(fā)EEES實(shí)驗(yàn)平臺(tái)并對(duì)系統(tǒng)性能進(jìn)行測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,EEES可以產(chǎn)生幅值高達(dá)1 058A的脈沖電流,可調(diào)脈沖寬度范圍為5～160μs。與cTMS1激勵(lì)源相比,EEES能量自損率明顯低于cTMS1,節(jié)能率高達(dá)62.60%～93.21%。因此,該文提出的EEES系統(tǒng)為TMS激勵(lì)源的發(fā)展提供了重要參考。 

【文章來(lái)源】：電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2020,35(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【部分圖文】：

cTMS1電路拓?fù)?br>

EEES電路拓?fù)?br>

cTMS1和EEES續(xù)流對(duì)比

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]經(jīng)顱磁聲電刺激參數(shù)對(duì)神經(jīng)元放電模式的影響分析[J]. 張帥,崔琨,史勛,王卓,徐桂芝.  電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2019(18)
[2]IGBT串聯(lián)動(dòng)態(tài)均壓特性分析與控制[J]. 丁順,邢巖,王鈞,胡海兵.  電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(14)
[3]基于SiC MOSFET直流固態(tài)斷路器關(guān)斷初期電壓尖峰抑制方法[J]. 李輝,廖興林,肖洪偉,姚然,黃樟堅(jiān).  電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2018(05)
[4]多通道經(jīng)顱磁刺激線圈陣列的驅(qū)動(dòng)與控制[J]. 李江濤,曹輝,鄭敏軍,趙政.  電工技術(shù)學(xué)報(bào). 2017(22)
[5]經(jīng)顱磁刺激技術(shù)的研究進(jìn)展[J]. 李江濤,鄭敏軍,曹輝.  高電壓技術(shù). 2016(04)
[6]基于聚焦線圈和固態(tài)開(kāi)關(guān)的脈沖磁場(chǎng)發(fā)生器[J]. 米彥,儲(chǔ)貽道,蔣春,姚陳果,李成祥.  儀器儀表學(xué)報(bào). 2014(07)
[7]適用于臨床及動(dòng)物試驗(yàn)的高頻重復(fù)經(jīng)顱磁刺激系統(tǒng)設(shè)計(jì)及其應(yīng)用[J]. 于陽(yáng),李玥,張廣浩,白金柱,吳昌哲,霍小林.  高電壓技術(shù). 2013(01)



本文編號(hào)：3081278