本文選題：PZT壓電陶瓷　切入點(diǎn)：干涉測(cè)量　出處：《壓電與聲光》2016年03期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：閉環(huán)壓電陶瓷(PZT)具有良好的線性特征,能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)分辨率,在微位移過(guò)程中響應(yīng)快,精度高,廣泛用于光學(xué)測(cè)量領(lǐng)域。在干涉測(cè)量中,利用PZT控制反射鏡的移動(dòng),引入可控相移,需要知道PZT的電壓相移特性。提出了基于干涉條紋圖樣的相關(guān)性測(cè)量PZT電壓相移特性的方法,利用CMOS數(shù)字?jǐn)z像機(jī)采集干涉條紋圖樣,以零電壓對(duì)應(yīng)的圖樣為基準(zhǔn)圖,做歸一化相關(guān)系數(shù)運(yùn)算,最后得到PZT電壓相移特性曲線,滿足了干涉測(cè)量相移可控的要求。
[Abstract]:Closed-loop piezoelectric ceramics (PZT) have good linear characteristics, can achieve nanometer resolution, fast response and high precision in the process of micro-displacement, and are widely used in optical measurement. In interferometry, the movement of reflector is controlled by PZT. By introducing controllable phase shift, we need to know the voltage phase shift characteristics of PZT. A method of measuring the voltage phase shift characteristics of PZT based on the correlation of interference fringe pattern is proposed. The interference fringe pattern is collected by CMOS digital camera. Taking the pattern corresponding to zero voltage as the reference diagram, the normalized correlation coefficient is calculated. Finally, the phase shift characteristic curve of PZT voltage is obtained, which satisfies the requirement of controllable phase shift in interferometric measurement.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61308062)
【分類號(hào)】：TH744.3

【參考文獻(xiàn)】

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6 余t，

本文編號(hào)：1628656