本文關(guān)鍵詞：TFT-LCD高溫光照漏電流改善研究

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【摘要】：造成TFT不穩(wěn)定的問題點(diǎn)一般認(rèn)為有兩種:一是溝道內(nèi)半導(dǎo)體材料內(nèi)部的缺陷,另一個(gè)是柵極絕緣層內(nèi)的或是絕緣層與溝道層界面的電荷陷阱。TFT-LCD在長(zhǎng)期運(yùn)行時(shí)由于高溫及光照的影響會(huì)導(dǎo)致漏電流增加,進(jìn)而對(duì)TFT造成破壞。分析研究表明,TFT溝道在刻蝕完成后,溝道內(nèi)部存在一定的缺陷以及絕緣層與溝道層界面存在電荷陷阱,平面電場(chǎng)寬視角核心技術(shù)-高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)型產(chǎn)品由于設(shè)計(jì)的原因面臨著如果進(jìn)行氫處理會(huì)導(dǎo)致與其與氧化銦錫中的銦發(fā)生置換反應(yīng),導(dǎo)致銦的析出,所以無法采用氫處理。理論分析表明Si-O鍵穩(wěn)定,本文主要介紹通過氯氣/氧氣和六氟化硫/氧氣對(duì)TFT溝道進(jìn)行處理改善高溫光照漏電流。結(jié)果表明,通過氯氣/氧氣和六氟化硫/氧氣處理TFT溝道后,高溫光照漏電流從18.19pA下降到5.1pA,可見氯氣/氧氣和六氟化硫/氧氣對(duì)溝道處理可有效改善高溫光照漏電流。
【作者單位】： 北京京東方光電科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： 高溫光照漏電流 TFT溝道 TFT特性 溝道厚度
【基金】：京東方研發(fā)基金~~
【分類號(hào)】：TN873.93
【正文快照】： 1引言隨著當(dāng)今薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)及其加工工藝的不斷發(fā)展,TFT器件在各個(gè)領(lǐng)域得到了更加廣泛的應(yīng)用,部分領(lǐng)域TFT器件的工作環(huán)境條件比較惡劣,比如在高溫的環(huán)境下,進(jìn)而對(duì)TFT-LCD的性能要求更加嚴(yán)格,以A-Si為基礎(chǔ),采用不同的幾何結(jié)構(gòu)和不同的工藝[1],已經(jīng)研制出了種

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