本文關(guān)鍵詞：TD-LTE終端基帶芯片物理層控制系統(tǒng)分析研究與驗(yàn)證，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：LTE(Long Term Evolution)是第四代移動(dòng)通信的主要技術(shù)之一,主要采用了正交頻分復(fù)用和多輸入輸出技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)來(lái)提升系統(tǒng)的性能。本文在LTE的基礎(chǔ)上,采用了載波聚合技術(shù),在與3GPP LTE全面兼容的同時(shí),大大提高了無(wú)線通信系統(tǒng)的最高數(shù)據(jù)傳輸率等指標(biāo)。在20MHz頻譜帶寬下峰值速率達(dá)到600Mbps、上行峰值速率達(dá)到300Mbps。本文以TD-LTE為背景,以設(shè)計(jì)研發(fā)基帶芯片為依托,重點(diǎn)研究物理層控制系統(tǒng)在基帶芯片系統(tǒng)中的應(yīng)用。本文主要從三方面展開(kāi),首先介紹了物理層的理論部分,分析LTE的關(guān)鍵技術(shù)以及物理層的幀結(jié)構(gòu)及數(shù)據(jù)處理流程和控制過(guò)程,對(duì)物理層鏈路建立模型并映射到基帶芯片的系統(tǒng)中去,實(shí)現(xiàn)物理層算法鏈路在基帶芯片系統(tǒng)中的正常運(yùn)轉(zhuǎn)。然后在此基礎(chǔ)上介紹了物理層控制系統(tǒng),對(duì)主控模塊OpenRISC1200、片上總線、主要功能模塊進(jìn)行了詳細(xì)的介紹,并且對(duì)物理層控制的關(guān)鍵策略如中斷控制策略、交互控策略、數(shù)據(jù)控制策略進(jìn)行了設(shè)計(jì),同時(shí)研究和設(shè)計(jì)了可調(diào)試接口為系統(tǒng)功能驗(yàn)證提供有力支持。最后是介紹物理層控制系統(tǒng)在基帶芯片上實(shí)現(xiàn)的硬件環(huán)境分析和軟件架構(gòu)實(shí)現(xiàn),分析了控制系統(tǒng)在基帶芯片功能驗(yàn)證中的作用和方法,并進(jìn)行了模塊級(jí)和系統(tǒng)級(jí)的VCS前端仿真驗(yàn)證,并對(duì)芯片進(jìn)行了FPGA原型驗(yàn)證。
【關(guān)鍵詞】：LTE 物理層 控制 驗(yàn)證
【學(xué)位授予單位】：貴州大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：TN929.5
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-8
• 第一章 緒論8-11
• 1.1 選題背景與意義8-9
• 1.2 研究?jī)?nèi)容與成果9-10
• 1.3 論文組織結(jié)構(gòu)10-11
• 第二章 LTE關(guān)鍵技術(shù)和物理資源11-28
• 2.1 LTE關(guān)鍵技術(shù)11-14
• 2.1.1 OFDM技術(shù)11
• 2.1.2 MIMO技術(shù)11-12
• 2.1.3 載波聚合技術(shù)12-14
• 2.2 物理層幀結(jié)構(gòu)14-17
• 2.3 物理層信道17-20
• 2.3.1 上行物理信道17-18
• 2.3.2 下行物理信道18-20
• 2.4 數(shù)據(jù)處理流程20-22
• 2.4.1 下行數(shù)據(jù)處理流程20-21
• 2.4.2 上行數(shù)據(jù)處理流程21-22
• 2.5 物理層過(guò)程22-26
• 2.5.1 小區(qū)搜索22-23
• 2.5.2 同步信號(hào)檢測(cè)23-24
• 2.5.3 物理層隨機(jī)接入24-25
• 2.5.4 上行調(diào)度過(guò)程25-26
• 2.5.5 下行調(diào)度過(guò)程26
• 2.6 本章小結(jié)26-28
• 第三章 物理層控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)28-44
• 3.1 基帶處理芯片架構(gòu)28-30
• 3.2 物理層主控模塊介紹30-31
• 3.3 系統(tǒng)總線介紹31-35
• 3.3.1 AXI協(xié)議介紹32-33
• 3.3.2 APB協(xié)議介紹33-35
• 3.4 射頻控制模塊設(shè)計(jì)35-38
• 3.4.1 射頻接收控制設(shè)計(jì)37
• 3.4.2 射頻發(fā)送設(shè)計(jì)37-38
• 3.5 外接收機(jī)模塊38-39
• 3.6 外發(fā)射機(jī)模塊39
• 3.7 同步控制設(shè)計(jì)39-43
• 3.7.1 下行定時(shí)調(diào)整40-42
• 3.7.2 上行定時(shí)調(diào)整42-43
• 3.8 本章小結(jié)43-44
• 第四章 物理層控制關(guān)鍵策略設(shè)計(jì)44-55
• 4.1 中斷控制設(shè)計(jì)44-47
• 4.1.1 中斷查詢響應(yīng)機(jī)制44-45
• 4.1.2 中斷源分布45-47
• 4.2 交互控制設(shè)計(jì)47-50
• 4.2.1 MAC_PHY交互47-48
• 4.2.2 主控-主控交互48-49
• 4.2.3 主控_輔控交互49-50
• 4.3 數(shù)據(jù)控制設(shè)計(jì)50-52
• 4.3.1 下行數(shù)據(jù)接收控制50-52
• 4.3.2 上行數(shù)據(jù)接收控制52
• 4.4 可調(diào)試接口設(shè)計(jì)52-54
• 4.4.1 斷言設(shè)計(jì)53
• 4.4.2 系統(tǒng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)53-54
• 4.5 本章小結(jié)54-55
• 第五章 物理層控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)與驗(yàn)證55-73
• 5.1 基帶芯片驗(yàn)證環(huán)境55-59
• 5.1.1 驗(yàn)證工具簡(jiǎn)介55-56
• 5.1.2 驗(yàn)證環(huán)境搭建56-58
• 5.1.3 驗(yàn)證平臺(tái)58-59
• 5.2 軟件架構(gòu)59-60
• 5.2.1 主控單元程序框架59-60
• 5.2.2 輔控單元程序框架60
• 5.3 模塊級(jí)驗(yàn)證60-63
• 5.3.1 DMA控制驗(yàn)證60-61
• 5.3.2 射頻控制模塊驗(yàn)證61-62
• 5.3.3 外接收機(jī)模塊驗(yàn)證62-63
• 5.4 系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證63-64
• 5.5 基于FPGA原型驗(yàn)證64-72
• 5.5.1 標(biāo)準(zhǔn)儀器選取65-67
• 5.5.2 FPGA劃片67-69
• 5.5.3 FPGA測(cè)試思路69-70
• 5.5.4 系統(tǒng)級(jí)FPGA驗(yàn)證70-72
• 5.6 本章小結(jié)72-73
• 第六章 總結(jié)與展望73-75
• 6.1 論文總結(jié)73-74
• 6.2 工作展望74-75
• 致謝75-76
• 參考文獻(xiàn)76-78
• 附錄78-79

【相似文獻(xiàn)】

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