基于開關管高頻化的問題,提出了符合MATLAB仿真的一種GaN開關管高頻手機適配器的實驗研究.通過對次級諧振有源鉗位反激電路的仿真模型分析,設計了一種基于GaN開關管高頻手機適配器.根據(jù)對有源鉗位反激和無源鉗位反激的比較分析,得出無源鉗位反激的局限性.在有源鉗位反激中,對比分析初級諧振和次級諧振,提出初級諧振的不足同時凸顯次級諧振的優(yōu)勢.設計通過相應的控制策略和參數(shù)設定,能夠提高適配器充電效率和變換器的功率密度,減少開關損耗,安全可靠.

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【文章目錄】：
1 ACF和PCF的比較分析
    1.1 效率比較
    1.2 PCF損耗分析
2 ACF的類型分析
    2.1 初級諧振ACF
    2.2 次級諧振的ACF
3 控制策略
    3.1 自適應調(diào)幅(AAM)
    3.2 自適應激增(ABM)
    3.3 低功率模式(LPM)
    3.4 備用功率模式(SBP)
4 參數(shù)設計
5 仿真分析和驗證
6 結 語



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