吸波貼膜的表面行波衰減特性調(diào)控研究
【學(xué)位授予單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TN953;E92
【圖文】:
然而在實際傳播過程中,表面行波在傳播至電磁缺陷處時,將往各個方向發(fā)生散射。如圖1-2 所示。在金屬表面理想光滑的情況下,散射場的后向散射強度較之入射場的強度要低很多[5]。但是目前幾乎所有的武器裝備表面都不是理想光滑的,在掠入射條件下,當(dāng)表面行波在傳輸過程中遇到不連續(xù)的邊界時,會產(chǎn)生非常大的后向散射場[6]。圖 1-2 表面行波的散射[5]通過加載電磁缺陷修復(fù)材料,有夠有效的抑制電磁缺陷散射,實現(xiàn)縮減表面行波后向散射的效果。目前國內(nèi)關(guān)于抑制表面行波貼膜的研究缺乏比較成熟的理論指導(dǎo)與實驗方法。由于軍事領(lǐng)域的敏感性,也沒有查找到國外目前最新最有效的研究成果。因此,如何制備高衰減的表面行波貼膜,依然是個難題,需要大量的理論研究與實驗來進行探索。1.2 表面行波的研究歷史與現(xiàn)狀表面波的理論研究到目前為止已經(jīng)有一百多年的歷史了。早在 1899 年,最先發(fā)
(a) B-1A 戰(zhàn)略轟炸機 (b) B-1B 戰(zhàn)略轟炸機圖 1-1 羅克韋爾戰(zhàn)略轟炸機[3]經(jīng)過 50 多年堅持不懈的研究,雷達隱身技術(shù)的發(fā)展取得了顯著的進步,有效抑制了武器裝備上進氣道和座艙等強散射源的散射。但由于武器裝備表面存在大量幾何突變、材料突變、邊緣和縫隙,導(dǎo)致弱散射源的在總體散射中所占的比例越來大。如果這些弱散射源得不到有效的處理,隱身武器裝備的研制將遇到極大的困難[4理論上,在連續(xù)且均勻的介質(zhì)中,表面電磁波在傳播過程中不會發(fā)生散射,然在實際傳播過程中,表面行波在傳播至電磁缺陷處時,將往各個方向發(fā)生散射。如1-2 所示。在金屬表面理想光滑的情況下,散射場的后向散射強度較之入射場的強要低很多[5]。但是目前幾乎所有的武器裝備表面都不是理想光滑的,在掠入射條件下當(dāng)表面行波在傳輸過程中遇到不連續(xù)的邊界時,會產(chǎn)生非常大的后向散射場[6]。
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10 王U
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