【摘要】：針對現(xiàn)代通信電子戰(zhàn)系統(tǒng)對小型化射頻前端的需求,該文基于低溫共燒陶瓷(LTCC)技術(shù)研制出工作在30~3 000 MHz,具有高集成度的射頻前端模組。該模組尺寸僅為48mm×46mm×12mm,質(zhì)量僅為68.5g,在滿足技術(shù)指標(biāo)的同時,體積與質(zhì)量均減小到原有產(chǎn)品的1/7。此外,該文還對三維互聯(lián)和隔離度優(yōu)化等高度集成關(guān)鍵技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和分析。
【圖文】：

化設(shè)計，研制出高集成度的標(biāo)準(zhǔn)化射頻前端單元模塊，當(dāng)需要時，即可通過增加該單元模塊的數(shù)量，實現(xiàn)陣列化接收系統(tǒng)。本研究能夠縮短天線共用器的研制周期，提高工藝穩(wěn)定性、產(chǎn)品可靠性，降低研制成本。由于設(shè)計覆蓋全頻段（３０～３０００ＭＨｚ）的天線存在很大的技術(shù)難度，為了滿足系統(tǒng)要求，本文采用多個重點(diǎn)頻段天線切換使用的方案。本文將射頻前端設(shè)計成４路輸入、１路輸出的形式。其中，３路接外部天線，１路接系統(tǒng)內(nèi)部校正信號，在該射頻前端中對射頻信號進(jìn)行直通、放大、衰減，原理框圖如圖１所示。圖１射頻前端原理框圖

放大器（ＬＮＡ）放在一個腔里，這樣既能減少布局尺寸，同時也可保證開關(guān)隔離度。２．２高密度集成的關(guān)鍵技術(shù)高密度集成的關(guān)鍵技術(shù)主要有：傳輸線三維互聯(lián)技術(shù)、ＬＴＣＣ電路隔離優(yōu)化技術(shù)等。對于這些關(guān)鍵電路和結(jié)構(gòu)，首先以基本電磁場理論計算出初值，再利用ＨＦＳＳ電磁仿真軟件，建立起對應(yīng)的三維模型，然后以ＬＴＣＣ電路加工工藝為邊界條件，對這些關(guān)鍵電路和結(jié)構(gòu)進(jìn)行三維電磁分析和參數(shù)優(yōu)化，直到獲得滿意的結(jié)果［３－５］。傳輸線主要采用微帶－帶狀－微帶同層過渡（見圖３）及微帶－帶狀－微帶垂直互聯(lián)過渡（見圖４）兩種形式。經(jīng)仿真計算，確定帶狀線寬度為０．１５ｍｍ，微帶線寬度為０．２９ｍｍ，帶狀線、微帶線與屏蔽地的縫隙為０．２５ｍｍ。此外，，通過仿真還發(fā)現(xiàn)，在傳輸線和過渡端的兩邊布置通孔，能有效地減小電磁場的輻射，抑制寄生（見圖５）。圖３微帶－帶狀－微帶同層過渡結(jié)構(gòu)仿真模型圖４微帶－帶狀－微帶垂直過渡結(jié)構(gòu)仿真模型８１０壓電與聲光２０１７年

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