【摘要】：針對(duì)柵極絕緣層和柵極引線接觸處形成過孔倒角造成的一種垂直線不良進(jìn)行分析和改善。研究氣相沉積、干法刻蝕和磁控濺射對(duì)過孔倒角的影響,通過掃描電子顯微鏡對(duì)過孔形貌進(jìn)行表征,并用成盒檢測設(shè)備檢測不良發(fā)生情況。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:通過過孔刻蝕功率、氣壓、氣體流量的變更可以消除倒角現(xiàn)象,垂直線不良由1.4%降為0.7%。
[Abstract]:This paper analyzes and improves a kind of perpendicular defect caused by the contact between the grid insulation layer and the gate lead. The effects of vapor deposition, dry etching and magnetron sputtering on the chamfering of the pore were studied. The morphology of the pore was characterized by scanning electron microscope (SEM). The experimental results show that the chamfering phenomenon can be eliminated by changing the power, pressure and flow rate of gas through the hole etch, and the bad vertical line is reduced from 1.4% to 0.7%.
【作者單位】： 北京京東方顯示技術(shù)有限公司;
【分類號(hào)】：TN873.93

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5 王f濤，

本文編號(hào)：2160436