近年來,六角蜂窩狀結構材料被廣泛地研究,尤其是具有內部結構的六角蜂窩狀結構材料,其良好的物理性質也逐漸地被挖掘。在本文中,我們利用緊束縛模型和格林函數的方法探究了兩種六角蜂窩狀結構材料的輸運性質。第一種六角蜂窩狀結構材料是硅烯,在這里我們提出了兩種不同類型的非對稱T型硅納米帶,其具有特殊的自旋傳輸特性。在兩種不同T型硅烯納米帶中,我們通過改變一端的大小來調節(jié)整體電導�？紤]到交換場,近乎完美的自旋極化可以在半導體T型硅烯納米帶這種結構中輕松獲得。另外通過調節(jié)T型各端、電場和交換場的大小,可以控制每端的自旋極化。另外一種六角蜂窩狀結構材料是錫烯,我們探究了錫烯納米帶的相關電子結構和輸運的性質。在這里我們將錫烯納米帶散射區(qū)沿寬度方向分成均等的兩子散射區(qū)。首先,在兩子散射區(qū)作用反鐵磁交換場,通過調節(jié)兩子散射區(qū)反鐵磁交換場作用錫烯納米帶中兩種不同原子的方向和大小,最終考慮到垂直電場的作用,實現了近乎完美的自旋極化。然后,在兩子散射區(qū)分別作用鐵磁和反鐵磁交換場(雜交交換場)。在兩子散射區(qū)相鄰原子交換場作用方向相同情況下,由于谷的劈裂,盡管這時兩子散射區(qū)交換場的大小可以控制邊緣態(tài)自旋的極化,但不考慮...

【文章頁數】：59 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖２－１半導體二維電子氣機制

第二章電子結構和電導的計算方法一格林函數法??２．１緊束縛模型??二維電子氣（Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｕｓｉｏｎａ．ｌ?ｅｌｅｃｔｒｏｎ?ｇａｓ）是量子效應的產物，指電子可以在二維平面內自由移動，而在第三維上受到限制的電子群。體表面加上一個垂直于半導體表面的電場，在表面附近形成一個電子勢....

圖２－３三終端結構機制

?２．５三終端機制的電導??在實際計算中，我們通常會碰到多終端體系，例如三終端體系，如圖２－３所??示。通常我們是利用自能項把多終端問題轉化成一個有效的兩終端問題，然后??計算等效的兩終端問題的格林函數，進而求得體系的電導。??Ｉ人人人??、人Ｔ＇??人■人Ｊ??＜人人人??ｊｎ....

圖３－１－１兩種Ｔ型娃納米帶結構示意圖??Ｔ硅子和輸運性質可以用緊束縛模型來表示

圖３－１－１兩種Ｔ型娃納米帶結構示意圖??非對稱的Ｔ型硅納米帶的電子結構和輸運性質可以用緊束縛模型來表示。??根據格點模型，整個系統(tǒng)的哈密頓可以表達成如下的形式：??Ｈ?＝?－ｔ＇＾２＜ｉ，ｊ＞ａ?ｃｉａＣｊａ?＋?？：３〉３?Ｓ？ｊ，ｊ＞＞ａ／３?ＶｉｊＣｉ〇ａａｌ３Ｃｉ０??....

圖３－１－２?（ａ）和（ｂ）分別表示在Ｉ型Ｔ型的桂納米帶中，當７Ｖ２１?＝?１２，?ＡＬ?＝??１４時，電子從Ｌ端傳輸到Ｒ端和Ｔ端的電導；（ｃ）和（ｄ）分別表不在Ｉ型Ｔ型的??

圖３－１－２?（ａ）和（ｂ）分別表示在Ｉ型Ｔ型的桂納米帶中，當７Ｖ２１?＝?１２，?１４時，電子從Ｌ端傳輸到Ｒ端和Ｔ端的電導；（ｃ）和（ｄ）分別表不在Ｉ型Ｔ硅納米帶中，當ＴＶｒｌ?＝?１２，?％?＝?１６時，電子從Ｌ端傳輸到Ｒ端和Ｔ端的電。??閣３－１－２屮展示了Ｉ型Ｔ型硅納米帶....

本文編號：4002135