采用傳輸矩陣法研究四層單負材料一維光子晶體(AB)₂的透射譜特性,發(fā)現(xiàn):透射譜中出現(xiàn)3個隧穿模,隨著入射角的增大,3個隧穿模的位置幾乎不隨入射角變化;隨著兩種介質(zhì)層厚度的增大,中央隧穿模的位置保持不變,左右兩個隧穿模向中央隧穿�？繑n;隨著電單負材料A的磁導率和磁單負材料B的介電常數(shù)的增大,3個隧穿模均向低頻方向移動,相鄰兩個隧穿模之間的間隔在減小;三種情況中,3個隧穿模的半峰全寬最終均減小,品質(zhì)因子均得到提高,其中介質(zhì)層厚度的變化對隧穿模的半峰全寬和品質(zhì)因子的影響最顯著,入射角的變化影響最小。透射譜的這些特性,對設計新型光學器件具有一定的參考價值。

【文章頁數(shù)】：3 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 四層單負材料一維光子晶體的結(jié)構(gòu)模型
3 透射譜的特性
    3.1 入射角對遂穿模的影響
    3.2 材料厚度對遂穿模的影響
    3.3 磁導率和介電常數(shù)對遂穿模的影響
4 結(jié)論



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