2008年,美國HP實(shí)驗(yàn)室宣布首次物理制成了納米級(jí)的第四種基本電路元件——憶阻器。這一重大突破,隨即引發(fā)了國內(nèi)外關(guān)于憶阻器材料、模型以及應(yīng)用等方面井噴式的研究熱潮。由于憶阻器具有特殊記憶性,其在非易失性存儲(chǔ)器、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、非線性電路系統(tǒng)等領(lǐng)域均表現(xiàn)出了巨大應(yīng)用價(jià)值。在非線性系統(tǒng)領(lǐng)域,新構(gòu)建的憶阻型非線性電路系統(tǒng)能產(chǎn)生出保密通信、圖像加密時(shí)所需要的復(fù)雜度高、隨機(jī)性強(qiáng)的混沌信號(hào),且其效率、安全性以及保密性均比一般的混沌電路系統(tǒng)更高。因而,構(gòu)建出具有復(fù)雜動(dòng)力學(xué)行為的新憶阻混沌系統(tǒng),具有重要應(yīng)用價(jià)值和現(xiàn)實(shí)意義。本文基于不同的憶阻器模型構(gòu)建出了兩個(gè)新的憶阻混沌系統(tǒng),并對(duì)新構(gòu)建的憶阻混沌系統(tǒng)進(jìn)行了深入的理論分析與研究。基于所構(gòu)建的系統(tǒng)設(shè)計(jì)了對(duì)應(yīng)的憶阻混沌電路,并采用硬件電路、DSP硬件平臺(tái)對(duì)系統(tǒng)可行性和物理可實(shí)現(xiàn)性進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。具體內(nèi)容概括為如下兩個(gè)部分:(1)通過引入一個(gè)二次磁控憶阻器模型作為經(jīng)典Liu-Chen系統(tǒng)的反饋項(xiàng),構(gòu)建出了一個(gè)具有吸引子旋轉(zhuǎn)的四翼憶阻Liu-Chen混沌系統(tǒng)。隨后,對(duì)系統(tǒng)的相位圖、分岔圖、吸引盆、Lyapunov指數(shù)等進(jìn)行常規(guī)動(dòng)力學(xué)分析,發(fā)現(xiàn)這個(gè)具有線平衡點(diǎn)的憶阻...

【文章頁數(shù)】：71 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第1章 緒論
    1.1 課題研究背景及意義
    1.2 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀
        1.2.1 憶阻器研究動(dòng)態(tài)
        1.2.2 憶阻混沌系統(tǒng)研究動(dòng)態(tài)
    1.3 本文主要內(nèi)容及結(jié)構(gòu)
第2章 憶阻混沌系統(tǒng)理論與設(shè)計(jì)方法
    2.1 混沌基本理論
        2.1.1 混沌的定義
        2.1.2 混沌基本特征
        2.1.3 混沌動(dòng)力學(xué)判別方法
    2.2 憶阻器定義
    2.3 憶阻器電路特性及分類
        2.3.1 憶阻器電路特性
        2.3.2 憶阻器的模型分類
    2.4 憶阻混沌系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法
第3章 基于二次磁控憶阻器的Liu-Chen混沌系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析、電路實(shí)現(xiàn)與應(yīng)用研究
    3.1 引言
    3.2 二次磁控憶阻型Liu-Chen混沌系統(tǒng)
    3.3 系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析
        3.3.1 耗散性
        3.3.2 平衡點(diǎn)分析
        3.3.3 共存吸引子旋轉(zhuǎn)與其它復(fù)雜動(dòng)力學(xué)行為
    3.4 系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
        3.4.1 Multisim仿真實(shí)現(xiàn)
        3.4.2 電路硬件實(shí)現(xiàn)
    3.5 憶阻混沌系統(tǒng)的有限時(shí)間同步應(yīng)用
        3.5.1 分?jǐn)?shù)階有限時(shí)間穩(wěn)定性理論及控制器設(shè)計(jì)
        3.5.2 數(shù)值仿真研究
    3.6 小結(jié)
第4章 基于雙曲正切憶阻器的Duffing混沌系統(tǒng)動(dòng)力學(xué)分析、電路設(shè)計(jì)及DSP實(shí)現(xiàn)
    4.1 引言
    4.2 雙曲正切憶阻型Duffing混沌系統(tǒng)
        4.2.1 雙曲正切憶阻器模型
        4.2.2 憶阻型Duffing系統(tǒng)模型
    4.3 系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析
        4.3.1 耗散性
        4.3.2 平衡點(diǎn)分析
        4.3.3 對(duì)稱、非對(duì)稱簇發(fā)與共存現(xiàn)象
    4.4 系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)與DSP實(shí)現(xiàn)
        4.4.1 Multisim仿真實(shí)現(xiàn)
        4.4.2 DSP硬件實(shí)現(xiàn)
    4.5 小結(jié)
第5章 總結(jié)與展望
    5.1 本文主要工作總結(jié)
    5.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果和參與的科研項(xiàng)目



本文編號(hào)：3743123