采用浮區(qū)法（FZ）生長(zhǎng)Ge摻雜β-Ga₂O₃晶體,利用XRD和Raman光譜研究了摻雜對(duì)晶體結(jié)構(gòu)的影響。透射光譜測(cè)試表明,隨著Ge離子摻雜濃度增加,Ge∶β-Ga₂O₃晶體光學(xué)帶隙增大。在4.67 eV紫外光激發(fā)下,Ge∶β-Ga₂O₃晶體的發(fā)光強(qiáng)度與β-Ga₂O₃晶體相當(dāng),發(fā)光衰減時(shí)間比β-Ga₂O₃晶體更快。 

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【文章目錄】：
0 Introduction
1 Experiment
    1.1 Crystal growth
    1.2 Performance test
2 Results and discussion
    2.1 Structural characterization
    2.2 Optical properties
3 Conclusion


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]混晶β-（Al,Ga）2O3的禁帶調(diào)節(jié)（英文）[J]. 肖海林,邵剛勤,賽青林,夏長(zhǎng)泰,周圣明,易學(xué)專.  無(wú)機(jī)材料學(xué)報(bào). 2016(11)



本文編號(hào)：3707544