研究了GaSb基量子阱激光器在低溫下的光電特性和功耗。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明8μm條寬激光器閾值電流I_th=12 mA,此時(shí)電壓為3.46 V,功耗為41.52 mW;10μm條寬激光器閾值電流I_th=6 mA,此時(shí)電壓為2.60 V,功耗為15.60 mW。在15 K下的光譜隨著注入電流的增加發(fā)生紅移,在8～10 mA內(nèi)的光譜漂移為0.39 nm/mA,在10～20 mA內(nèi)為0.02 nm/mA。在15～65 K范圍內(nèi)光譜隨著注入溫度的增加發(fā)生紅移,光譜紅移速度為0.316 nm/K。研究結(jié)果對(duì)GaSb基量子阱激光器的進(jìn)一步應(yīng)用具有重要意義。 

【文章來源】：通信技術(shù). 2020,53(06)

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

GaSb基量子阱激光器材料結(jié)構(gòu)

不同脊條寬度的微分電阻和I-V曲線

激光器的I-V隨溫度變化


本文編號(hào)：3557225