單晶硅微弧等離子切割過(guò)程建模與控制
發(fā)布時(shí)間:2021-11-26 06:27
在對(duì)單晶硅等半導(dǎo)體材料進(jìn)行切割時(shí),傳統(tǒng)的線(xiàn)鋸切割工藝因其接觸式加工,經(jīng)常導(dǎo)致加工表面質(zhì)量差,硅片斷裂、崩碎等問(wèn)題。因此,考慮非接觸式放電加工。但由于半導(dǎo)體材料體電阻、導(dǎo)體與半導(dǎo)體接觸勢(shì)壘的影響,單晶硅材料的常規(guī)電火花加工放電間隙不易擊穿。因此研究人員通過(guò)調(diào)整放電間隙,可使放電狀態(tài)保持火花放電,避免電弧放電,從而形成微弧等離子切割。本文綜合分析微弧等離子切割加工放電間隙狀態(tài)檢測(cè)及其放電間隙控制問(wèn)題。對(duì)單晶硅材料微弧等離子切割放電間隙阻抗特性進(jìn)行研究,通過(guò)系統(tǒng)辨識(shí)與自適應(yīng)控制理論,設(shè)計(jì)基于LabVIEW的單晶硅微弧等離子切割放電間隙廣義預(yù)測(cè)控制系統(tǒng)。并進(jìn)行了工藝參數(shù)實(shí)驗(yàn)研究,結(jié)果表明所研究的理論模型可應(yīng)用于單晶硅的微弧等離子切割間隙放電狀態(tài)的過(guò)程控制。具體工作如下:(1)根據(jù)氣體擊穿過(guò)程的伏安特性與放電形式,確定基于單晶硅的微弧等離子切割的放電應(yīng)保持在缺陷輝光放電與電弧放電之間。通過(guò)研究單晶硅等半導(dǎo)體材料微弧等離子切割放電間隙的阻抗特性,并進(jìn)行相關(guān)數(shù)值分析,提出基于放電間隙的微弧等離子體動(dòng)態(tài)電阻模型。同時(shí)建立該等離子動(dòng)態(tài)模型與放電間隙之間的函數(shù)擬合關(guān)系,便于后續(xù)對(duì)極間放電間隙的預(yù)估。(2)...
【文章來(lái)源】:西安理工大學(xué)陜西省
【文章頁(yè)數(shù)】:75 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
單脈沖放電各個(gè)階段示意圖
在電場(chǎng)作用的情況下,正負(fù)兩極間的電介質(zhì)發(fā)生電解,生成氧等離子,工件產(chǎn)生熱的積累。當(dāng)積累到一定程度時(shí),便發(fā)生了熱電子發(fā)射,使單晶硅表面處于高活態(tài),同時(shí)與氧等離子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成氧化硅,氧化硅沉積在單晶硅的表層,被電中的空泡射流沖走,重復(fù)進(jìn)行,從而實(shí)現(xiàn)微弧放電切割。圖 1-2 所示為掃描電鏡放大時(shí)相同掃描范圍內(nèi)不同切割電參數(shù)的單晶硅微觀形貌圖。圖 1-2(c)圖 1-2(a)和d)是單晶硅切片表面能譜分析圖,由能譜分析可看到電火花加工表面主要元素是硅,主要物質(zhì)是硅和氧化硅,這就證明了微弧等離子切割過(guò)程中,不僅僅有硅材料的熔汽化,物質(zhì)熔化與汽化同時(shí)也會(huì)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生氧化硅。(a)表面粗糙度 Ra=3.1026μm (b)表面粗糙度 Ra=4.1967μm
Wong等【22】也通過(guò)放電加工間隙電壓閾值來(lái)辨別放電狀態(tài)進(jìn)行了相關(guān)研究。Yan 等【23】提出如圖1-4 所示的基于間隙電壓波形特征,根據(jù)不同的電壓值及其持續(xù)時(shí)間來(lái)識(shí)別電火花加工中的脈沖放電狀態(tài)的方法。圖 1-4 脈沖識(shí)別信號(hào)的時(shí)序圖【23】Fig.1-4 Timing charts of the pulse discriminating signals【23】Liao 等【24】提出一種基于放電間隙電壓波形的微電火花加工放電脈沖類(lèi)型鑒別系統(tǒng)。Kao 等【25】對(duì)在微型孔電火花加工中,利用采樣周期為 0.5 納秒的高速數(shù)據(jù)采集裝置來(lái)監(jiān)測(cè)間隙電壓并進(jìn)行了研究。Kwon 等【26】在對(duì)電火花線(xiàn)切割過(guò)程中,也利用間隙電壓檢測(cè)對(duì)間隙放電狀態(tài)進(jìn)行了識(shí)別與分類(lèi)。Han 等【27】提出一種在基于晶體管恒定脈沖發(fā)生器的微電火花加工中,利用平均擊穿延遲時(shí)間來(lái)監(jiān)測(cè)間隙距離并進(jìn)行伺服進(jìn)給控制的方法。此外,Liao 等【28-30】利用擊穿延遲時(shí)間作為采樣數(shù)據(jù)對(duì)電火花線(xiàn)切割脈沖放電狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)并進(jìn)行相關(guān)分析研究。Yan 等【31】也在研究電火花線(xiàn)切割過(guò)程中的斷絲控制時(shí)用到了擊穿延遲時(shí)間進(jìn)行狀態(tài)檢測(cè)。近年來(lái),小波變換也應(yīng)用到電火花加工放電狀態(tài)的檢測(cè)技術(shù)中,Yu 等【32】提出一種基于小波變換來(lái)辨別電火花加工脈沖放電狀態(tài)的方法,他們的研究表明將采集的間隙電壓和電流信號(hào)波形通過(guò)小波變換處理后所得的輸出結(jié)果能夠很容易的分辨出不同的脈沖放電狀態(tài)。Jiang 等【33】通過(guò)小波變換的方法處理相應(yīng)的放電波形來(lái)檢測(cè)電火花加工的放電狀態(tài)。在智能檢測(cè)方法上,Tarng 等【34】設(shè)計(jì)了一種運(yùn)用模糊集合理論的電火花脈沖識(shí)別器
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]溶液中微弧等離子體在材料表面處理的研究進(jìn)展[J]. 蔣永鋒,包曄峰,陳秉巖. 高壓電器. 2017(04)
[2]電火花加工在模具制造中的應(yīng)用[J]. 王穎,原紅玲. 價(jià)值工程. 2014(20)
[3]單晶硅電火花線(xiàn)切割表面損傷層形成機(jī)理[J]. 劉志東,高連,邱明波,田宗軍,汪煒. 航空學(xué)報(bào). 2012(01)
[4]太陽(yáng)能硅片制造方法研究現(xiàn)狀[J]. 邱明波,黃因慧,劉志東,田宗軍,汪煒. 機(jī)械科學(xué)與技術(shù). 2008(08)
[5]兩相混合式步進(jìn)電機(jī)恒轉(zhuǎn)矩細(xì)分驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究[J]. 李玲娟,劉景林,王燦. 微電機(jī). 2007(03)
[6]基于MATLAB的最小二乘法參數(shù)辨識(shí)與仿真[J]. 石賢良,吳成富. 微處理機(jī). 2005(06)
[7]世界半導(dǎo)體硅材料發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 馬春. 上海有色金屬. 2005(03)
[8]單晶硅片的制造技術(shù)[J]. 吳明明,周兆忠,巫少龍. 制造技術(shù)與機(jī)床. 2005(03)
[9]電熱毛細(xì)管材料消融中蒸氣罩的研究[J]. 成劍,栗保明. 南京理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2003(03)
[10]半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 凌玲. 新材料產(chǎn)業(yè). 2003(06)
博士論文
[1]半導(dǎo)體晶體材料放電加工技術(shù)研究[D]. 邱明波.南京航空航天大學(xué) 2010
本文編號(hào):3519583
【文章來(lái)源】:西安理工大學(xué)陜西省
【文章頁(yè)數(shù)】:75 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
單脈沖放電各個(gè)階段示意圖
在電場(chǎng)作用的情況下,正負(fù)兩極間的電介質(zhì)發(fā)生電解,生成氧等離子,工件產(chǎn)生熱的積累。當(dāng)積累到一定程度時(shí),便發(fā)生了熱電子發(fā)射,使單晶硅表面處于高活態(tài),同時(shí)與氧等離子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成氧化硅,氧化硅沉積在單晶硅的表層,被電中的空泡射流沖走,重復(fù)進(jìn)行,從而實(shí)現(xiàn)微弧放電切割。圖 1-2 所示為掃描電鏡放大時(shí)相同掃描范圍內(nèi)不同切割電參數(shù)的單晶硅微觀形貌圖。圖 1-2(c)圖 1-2(a)和d)是單晶硅切片表面能譜分析圖,由能譜分析可看到電火花加工表面主要元素是硅,主要物質(zhì)是硅和氧化硅,這就證明了微弧等離子切割過(guò)程中,不僅僅有硅材料的熔汽化,物質(zhì)熔化與汽化同時(shí)也會(huì)發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生氧化硅。(a)表面粗糙度 Ra=3.1026μm (b)表面粗糙度 Ra=4.1967μm
Wong等【22】也通過(guò)放電加工間隙電壓閾值來(lái)辨別放電狀態(tài)進(jìn)行了相關(guān)研究。Yan 等【23】提出如圖1-4 所示的基于間隙電壓波形特征,根據(jù)不同的電壓值及其持續(xù)時(shí)間來(lái)識(shí)別電火花加工中的脈沖放電狀態(tài)的方法。圖 1-4 脈沖識(shí)別信號(hào)的時(shí)序圖【23】Fig.1-4 Timing charts of the pulse discriminating signals【23】Liao 等【24】提出一種基于放電間隙電壓波形的微電火花加工放電脈沖類(lèi)型鑒別系統(tǒng)。Kao 等【25】對(duì)在微型孔電火花加工中,利用采樣周期為 0.5 納秒的高速數(shù)據(jù)采集裝置來(lái)監(jiān)測(cè)間隙電壓并進(jìn)行了研究。Kwon 等【26】在對(duì)電火花線(xiàn)切割過(guò)程中,也利用間隙電壓檢測(cè)對(duì)間隙放電狀態(tài)進(jìn)行了識(shí)別與分類(lèi)。Han 等【27】提出一種在基于晶體管恒定脈沖發(fā)生器的微電火花加工中,利用平均擊穿延遲時(shí)間來(lái)監(jiān)測(cè)間隙距離并進(jìn)行伺服進(jìn)給控制的方法。此外,Liao 等【28-30】利用擊穿延遲時(shí)間作為采樣數(shù)據(jù)對(duì)電火花線(xiàn)切割脈沖放電狀態(tài)進(jìn)行檢測(cè)并進(jìn)行相關(guān)分析研究。Yan 等【31】也在研究電火花線(xiàn)切割過(guò)程中的斷絲控制時(shí)用到了擊穿延遲時(shí)間進(jìn)行狀態(tài)檢測(cè)。近年來(lái),小波變換也應(yīng)用到電火花加工放電狀態(tài)的檢測(cè)技術(shù)中,Yu 等【32】提出一種基于小波變換來(lái)辨別電火花加工脈沖放電狀態(tài)的方法,他們的研究表明將采集的間隙電壓和電流信號(hào)波形通過(guò)小波變換處理后所得的輸出結(jié)果能夠很容易的分辨出不同的脈沖放電狀態(tài)。Jiang 等【33】通過(guò)小波變換的方法處理相應(yīng)的放電波形來(lái)檢測(cè)電火花加工的放電狀態(tài)。在智能檢測(cè)方法上,Tarng 等【34】設(shè)計(jì)了一種運(yùn)用模糊集合理論的電火花脈沖識(shí)別器
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]溶液中微弧等離子體在材料表面處理的研究進(jìn)展[J]. 蔣永鋒,包曄峰,陳秉巖. 高壓電器. 2017(04)
[2]電火花加工在模具制造中的應(yīng)用[J]. 王穎,原紅玲. 價(jià)值工程. 2014(20)
[3]單晶硅電火花線(xiàn)切割表面損傷層形成機(jī)理[J]. 劉志東,高連,邱明波,田宗軍,汪煒. 航空學(xué)報(bào). 2012(01)
[4]太陽(yáng)能硅片制造方法研究現(xiàn)狀[J]. 邱明波,黃因慧,劉志東,田宗軍,汪煒. 機(jī)械科學(xué)與技術(shù). 2008(08)
[5]兩相混合式步進(jìn)電機(jī)恒轉(zhuǎn)矩細(xì)分驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究[J]. 李玲娟,劉景林,王燦. 微電機(jī). 2007(03)
[6]基于MATLAB的最小二乘法參數(shù)辨識(shí)與仿真[J]. 石賢良,吳成富. 微處理機(jī). 2005(06)
[7]世界半導(dǎo)體硅材料發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 馬春. 上海有色金屬. 2005(03)
[8]單晶硅片的制造技術(shù)[J]. 吳明明,周兆忠,巫少龍. 制造技術(shù)與機(jī)床. 2005(03)
[9]電熱毛細(xì)管材料消融中蒸氣罩的研究[J]. 成劍,栗保明. 南京理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2003(03)
[10]半導(dǎo)體材料的發(fā)展現(xiàn)狀[J]. 凌玲. 新材料產(chǎn)業(yè). 2003(06)
博士論文
[1]半導(dǎo)體晶體材料放電加工技術(shù)研究[D]. 邱明波.南京航空航天大學(xué) 2010
本文編號(hào):3519583
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