基于相干光的微電子光學測量系統(tǒng)技術(shù)分析
發(fā)布時間:2021-10-10 22:38
目前集成電路對微電子測量技術(shù)提出了較高要求,其中光學關鍵尺寸作為微電子測量中的關鍵,其分辨率與測量極限問題表現(xiàn)得較為突出。本文基于相干光技術(shù),詳細研究相干光技術(shù)在微電子光學測量中的應用,并提出一套完整的系統(tǒng)方案,希望為進一步提高微電子測量精準度尋找出更有效的方法。
【文章來源】:電子元器件與信息技術(shù). 2020,4(09)
【文章頁數(shù)】:2 頁
【部分圖文】:
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]直流磁控濺射制備氧化銅膜的電學和光學性質(zhì)[J]. 許超. 電子元器件與信息技術(shù). 2020(06)
[2]基于Tavis-Cummings模型實現(xiàn)非定域三原子系統(tǒng)量子特性的遠程控制[J]. 韓峰,夏云杰,杜少將. 原子與分子物理學報. 2009(06)
[3]高Q腔中Stark效應對兩原子糾纏的影響[J]. 邢晉晶,王中結(jié),張侃. 量子電子學報. 2009(03)
[4]高斯型耦合Tavis-Cummings模型的糾纏特性[J]. 鄒艷,李永平. 量子電子學報. 2008(03)
[5]多光子Tavis-Cummings模型中兩糾纏原子的糾纏演化特性[J]. 張英杰,周原,夏云杰. 物理學報. 2008(01)
[6]雙模糾纏相干光與Bell態(tài)原子系統(tǒng)的光子統(tǒng)計[J]. 林繼成,鄭小虎,曹卓良. 光子學報. 2007(06)
本文編號:3429282
【文章來源】:電子元器件與信息技術(shù). 2020,4(09)
【文章頁數(shù)】:2 頁
【部分圖文】:
系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
【參考文獻】:
期刊論文
[1]直流磁控濺射制備氧化銅膜的電學和光學性質(zhì)[J]. 許超. 電子元器件與信息技術(shù). 2020(06)
[2]基于Tavis-Cummings模型實現(xiàn)非定域三原子系統(tǒng)量子特性的遠程控制[J]. 韓峰,夏云杰,杜少將. 原子與分子物理學報. 2009(06)
[3]高Q腔中Stark效應對兩原子糾纏的影響[J]. 邢晉晶,王中結(jié),張侃. 量子電子學報. 2009(03)
[4]高斯型耦合Tavis-Cummings模型的糾纏特性[J]. 鄒艷,李永平. 量子電子學報. 2008(03)
[5]多光子Tavis-Cummings模型中兩糾纏原子的糾纏演化特性[J]. 張英杰,周原,夏云杰. 物理學報. 2008(01)
[6]雙模糾纏相干光與Bell態(tài)原子系統(tǒng)的光子統(tǒng)計[J]. 林繼成,鄭小虎,曹卓良. 光子學報. 2007(06)
本文編號:3429282
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