影響電工設(shè)備損耗的關(guān)鍵部件如變壓器、電機(jī)鐵芯等的電工磁材料,如何降低電工磁材料的磁損耗,是電工應(yīng)用領(lǐng)域必須進(jìn)行研究的課題。目前,精確模擬電工材料的磁損耗特性是電氣工程領(lǐng)域的前沿和熱點(diǎn)。因此,本文針對(duì)軟磁復(fù)合（Soft Magnetic Composite,縮寫(xiě)SMC）材料損耗特性的數(shù)值模擬問(wèn)題進(jìn)行了理論分析和實(shí)驗(yàn)研究,主要研究?jī)?nèi)容如下:1、基于河北工業(yè)大學(xué)李永建教授所設(shè)計(jì)的三維磁特性測(cè)量?jī)x,首先對(duì)SMC材料立方樣件的磁特性進(jìn)行測(cè)量;其次使用TD8510磁性能測(cè)試系統(tǒng)測(cè)量了SMC材料環(huán)形樣件和無(wú)取向硅鋼片35ww270的磁特性;然后采集數(shù)據(jù)建立了磁特性數(shù)據(jù)庫(kù);最后重點(diǎn)介紹了像素點(diǎn)法計(jì)算磁滯回線面積,分析了磁滯損耗與頻率、磁滯回線面積三者之間的關(guān)系,為磁滯損耗模型的參數(shù)確定提供了理論基礎(chǔ)。2、基于磁滯損耗參數(shù)的分析,將計(jì)算參數(shù)定義為頻率的函數(shù),得到了改進(jìn)的Steinmetz模型（簡(jiǎn)稱(chēng)MSM）和改進(jìn)的Bertotti模型（簡(jiǎn)稱(chēng)MBM）;基于改進(jìn)的模型對(duì)SMC材料立方樣件、SMC材料環(huán)形樣件和無(wú)取向硅鋼片35ww270進(jìn)行了建模,獲得了磁材料具體的改進(jìn)MSM模型和MBM模型。3、基于改進(jìn)的磁損... 

【文章來(lái)源】：鄭州輕工業(yè)大學(xué)河南省

【文章頁(yè)數(shù)】：60 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

SMC材料形成過(guò)程

圖 1-3 SMC 材料損耗的影響因素根據(jù) 1907 年 Weiss 提出的分子場(chǎng)理論可知，磁材料能夠被磁化，關(guān)鍵在于部可以進(jìn)行自發(fā)磁化。當(dāng)對(duì)磁材料施加磁場(chǎng)時(shí)，磁材料會(huì)被施加場(chǎng)所影響，并產(chǎn)生而這些磁化所形成的區(qū)域被稱(chēng)為磁疇[21]。簡(jiǎn)單的同一個(gè)方向的磁疇分布如圖 1-4(b)所示，它們中間的虛線稱(chēng)之為磁疇壁。(a) 磁疇分布 (b) 磁疇壁圖 1-4 磁疇分布與磁疇壁當(dāng)施加的磁場(chǎng)比較小的時(shí)候，磁化過(guò)程可逆；但是如果此時(shí)繼續(xù)施加磁場(chǎng)強(qiáng)疇壁將消耗能量克服晶體瑕疵和斷層，從而出現(xiàn) Barkhausen 效應(yīng)[22]，如圖 1-5 所時(shí)也會(huì)產(chǎn)生能量的消耗，稱(chēng)為附加損耗。最終磁化方向與施加的磁場(chǎng)的方向變成

三維測(cè)量?jī)x的測(cè)試系統(tǒng)如圖 2-3 所示，該系統(tǒng)屬于一個(gè)三軸正交的測(cè)量裝置，使系統(tǒng)可以對(duì)樣件施加三個(gè)方向的勵(lì)磁激勵(lì)，并使得使用感應(yīng)線圈感應(yīng)的信號(hào)從三個(gè)輸出；3 路功率放大器為樣件在某一個(gè)頻率下的充分磁化提供支撐，這樣使得 S料的各向同性性能得到充分利用；其間的多通道差分放大電路，只要通過(guò)系統(tǒng)給樣個(gè)很小的感應(yīng)，就可以得到一個(gè)能夠進(jìn)行處理的大信號(hào)，并由此調(diào)節(jié) B 和 H 之間

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號(hào)：3353072