用MCNP程序對X射線輻照圓柱腔端面和側面激勵光電子發(fā)射的過程進行模擬,計算得到了出射電子的能譜、θ角分布及產額等發(fā)射參數隨X射線入射狀態(tài)的變化規(guī)律,并給出了處理曲面發(fā)射問題的蒙特卡羅（MC）統計方法,擬合得到了能譜參數E₁隨黑體溫度和入射角變化的經驗公式。利用MC抽樣方法給出了將電子發(fā)射參數與3維全電磁PIC程序結合的宏粒子構建方式,并完成了X射線輻照圓柱腔體側面激勵的系統電磁脈沖場環(huán)境的模擬計算。結果表明,在模型邊、角等幾何變化處容易出現電場強度、磁場強度的極大值,需要對這些部位進行有效的抗系統電磁脈沖加固。 

【文章來源】：現代應用物理. 2020,11(01)

【文章頁數】：9 頁

【文章目錄】：
1 計算模型
2 電子發(fā)射參數的計算
    2.1 電子產額
    2.2 角分布
    2.3 能譜分布
3 程序思路及驗證
4 模擬結果
5 結論


【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3163671