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基于4pi聚焦系統(tǒng)實現(xiàn)特殊焦場結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換

發(fā)布時間:2021-04-12 07:13
  基于Richards-Wolf矢量衍射積分理論,利用角向偏振渦旋光束經(jīng)高數(shù)值孔徑透鏡強聚焦后有徑向分量的結(jié)論,研究了經(jīng)衍射光學(xué)元件調(diào)制的角向偏振拉蓋爾高斯光束的4pi聚焦特性。模擬結(jié)果顯示,通過選取合適的攔截比、數(shù)值孔徑及衍射光學(xué)元件的外環(huán)結(jié)構(gòu)三個參量,可以在焦平面上得到平頂光場。在此基礎(chǔ)上,通過改變?nèi)齻參量中的任意一個參量,平頂光場結(jié)構(gòu)均會向光針結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變;通過改變?nèi)齻參量中的任意兩個參量,會獲得很好的暗通道結(jié)構(gòu),并且獲得的暗通道結(jié)構(gòu)基本相同。這些特殊焦場結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換在光學(xué)微操控領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用價值。 

【文章來源】:光學(xué)學(xué)報. 2020,40(12)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

基于4pi聚焦系統(tǒng)實現(xiàn)特殊焦場結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換


4pi聚焦系統(tǒng)示意圖。(a)強聚焦光學(xué)系統(tǒng);(b)DOE結(jié)構(gòu)圖

平面圖,場強,線形,渦旋


基于單透鏡聚焦研究,在不改變模擬參量的條件下,研究了4pi聚焦系統(tǒng)的焦場分布,發(fā)現(xiàn)焦場在ρ-z(z為物空間坐標系中光束傳輸方向的光強)平面呈光針結(jié)構(gòu),如圖2所示。拓撲核數(shù)m=1的角向偏振拉蓋爾高斯光束經(jīng)過DOE和4pi聚焦系統(tǒng)后不再是對稱分布的周期性鏈狀結(jié)構(gòu),而是光場強度呈明顯差異的拉伸型針狀結(jié)構(gòu),中心聚焦部分的光場強度大大增加且分布均勻。這是因為在4pi聚焦系統(tǒng)中,從兩個相反方向入射的角向偏振渦旋光場具有相位差π,互相干涉作用使得焦場會沿著ρ方向疊加。為了更詳細說明光針結(jié)構(gòu),圖2(b)、(c)給出了z=0平面處沿ρ方向的強度分布線圖和ρ=0平面處總焦場沿z方向的強度分布,可以看出,總光強關(guān)于ρ=0對稱分布,并且ρ=0時沿z方向的焦場是不變的。研究發(fā)現(xiàn),改變4pi聚焦系統(tǒng)中某一個光學(xué)參量,光針結(jié)構(gòu)很容易被破壞,進而形成其他特殊的焦場結(jié)構(gòu)。為了說明焦點附近特殊光場結(jié)構(gòu)之間的轉(zhuǎn)換和焦場結(jié)構(gòu)的可調(diào)控性,選擇三個參量為研究對象,分別是調(diào)節(jié)參量δ4、合適的NA和攔截比β值。

分布圖,光強,平面,光強分布


圖3(a)給出了β=1.4,NA=0.94,δ4=0.7時總焦場在ρ-z平面的強度分布,可以看出,角向偏振拉蓋爾高斯光束經(jīng)過DOE和高數(shù)值孔徑透鏡后在焦平面附近形成了以ρ=0軸為對稱軸的平頂光場聚焦圖。圖3(b)給出了在z=0平面處焦場沿ρ方向的強度分布曲線圖,可以看出,DOE外環(huán)參量對焦點附近的光場強度分布具有拉伸作用,在ρ=0兩側(cè)附近出現(xiàn)了寬度大約為0.7λ的平頂光場,光場強度較高且均勻分布。對比單透鏡聚焦形成的三光鏈結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)原來的兩側(cè)次光鏈的光場強度在4pi聚焦系統(tǒng)中也會發(fā)生改變,這是由兩側(cè)光場的相干疊加引起的。這些結(jié)果說明DOE外環(huán)參量的改變會大大影響4pi焦場的結(jié)構(gòu)。為了詳細了解δ4對焦場的影響,保持其他參量與圖3的模擬參量相同。圖4給出了z=0平面處總光強在不同δ4值下沿ρ軸的線性分布圖?梢钥闯,δ4的取值對焦場的結(jié)構(gòu)有很大的影響,當δ4由0.68增大到0.69時,光針結(jié)構(gòu)不改變,但光針寬度增加;當δ4由0.69增加到0.70時,光針結(jié)構(gòu)消失,出現(xiàn)了平頂光場結(jié)構(gòu);當δ4增大到0.71時,平頂光場結(jié)構(gòu)消失,光場結(jié)構(gòu)有向暗通道結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變的趨勢,這為暗通道結(jié)構(gòu)的產(chǎn)生提供了一個理論依據(jù)。

【參考文獻】:
期刊論文
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本文編號:3132876

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