【摘要】：隨著納米制造技術(shù)的發(fā)展,鐵磁體在納米尺寸所表現(xiàn)的新奇特性,使得它們在現(xiàn)代信息工業(yè),尤其是磁存儲設(shè)備中具有很大的應(yīng)用前景,從而令磁性材料的磁化強度動力學(xué)成為研究熱點。因此深入理解磁性介質(zhì)中發(fā)生的磁性微觀過程,對有效設(shè)計磁存儲設(shè)備,例如磁帶、磁性硬盤和磁性隨機存取存儲器等至關(guān)重要。1996年,J.Slonczewski和L.Berger各自獨立地預(yù)測了當自旋極化電子流流經(jīng)納米尺寸自旋閥時,對鐵磁自由層中的磁矩將產(chǎn)生自旋轉(zhuǎn)移矩(STT),進而改變其指向。將STT添加至LLG方程后,可得修正后的LLG方程。基于此,本文考慮“電流在易極化面內(nèi)注入(CIP)”和“電流垂直于易極化面注入(CPP)”兩種情況下,均勻橫向磁場對準一維磁納米線中橫向磁疇壁的靜力學(xué)和電流驅(qū)動動力學(xué)的影響。首先,對靜力學(xué),外加均勻橫向磁場時,橫向磁疇壁方位角分布發(fā)生扭結(jié)且關(guān)于中心位置對稱,通過對方位角和極角的去耦,可以得到近似解析解。在有驅(qū)動電流時,橫向磁疇壁將運動起來。通過漸進展開方法,我們發(fā)現(xiàn),在CIP下,外加橫向磁場對DW無影響。而在CPP下,有限大小的均勻橫向磁場可以有效提高橫向磁疇壁的速度。
【圖文】：

自旋閥中的自旋轉(zhuǎn)移矩簡單模型旨在說明當自旋極化電流與鐵磁自由層相互作用時，鐵磁自由層的磁化強度之上。圖 2.2 給出了由釘扎層FMA和由非FMB組成的自旋閥的結(jié)構(gòu)。考慮在x方向上具有波矢k 的單電子z 軸取向。 是FMB磁矩方向相對于FMA的傾斜角度。我們不關(guān)是簡單地通過透射和反射振幅分別為 , u ut r 的上自旋電子和振自旋電子進行描述，其中不存在翻轉(zhuǎn)過程。

0 0 lim limin refl trans s sst sx xx Q Q Q x Q x Q x xN x Q xx x （2.37）其中 x是所考慮的假想薄壁的厚度。如果我們假設(shè)自旋流 sQ x 絕熱地跟隨磁化強度變化，即 sx Q x M x，，則： stN M x（2.38）
【學(xué)位授予單位】：河北師范大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：O469

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1 羅以琳;曾文光;;磁光材料中疇壁運動速度與外場間關(guān)系的研究[J];中山大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版);1988年04期

2 趙曉雨;雷曉蔚;;二維伊辛模型的疇壁動力學(xué)[J];原子與分子物理學(xué)報;2011年02期

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本文編號：2676509