【摘要】：本文采用分子動力學(xué)模擬的方法,研究了兩個(gè)課題,分別是外加垂直磁場下二維塵埃等離子體的超擴(kuò)散和二維塵埃等離子體固液相變點(diǎn)附近的熱容。第一個(gè)課題使用中間散射函數(shù)和概率分布函數(shù)表征了強(qiáng)磁場下二維Yukawa液體的質(zhì)量輸運(yùn)。研究結(jié)果顯示隨著外加垂直磁場的增強(qiáng),顆粒的運(yùn)動呈現(xiàn)出顯著的超擴(kuò)散現(xiàn)象。這一結(jié)論與之前通過均方位移獲得的結(jié)果完全吻合。更重要的是,研究結(jié)果顯示隨著磁場的增強(qiáng),分子動力學(xué)模擬出的二維塵埃等離子體的位移偏離傳統(tǒng)的高斯統(tǒng)計(jì)分布,更符合Lévy統(tǒng)計(jì)分布。第二個(gè)課題研究了二維塵埃等離子體固液相變點(diǎn)附近的熱容。研究結(jié)果顯示在熔點(diǎn)附近,系統(tǒng)的等體熱容有增大的趨勢。在熔點(diǎn)附近,熱容的增大似乎暗示了相變潛熱的存在。本論文對磁場下二維Yukawa液體的質(zhì)量輸運(yùn)做了詳細(xì)的表征,并對其位移的統(tǒng)計(jì)分布做了初步的分析。此外,本論文還為二維Yukawa固液相變潛熱存在與否提供一定的理論參考。
【圖文】：

旅行者2號拍下的土星環(huán)中輻條狀塵埃照片,左框照片時(shí)間間隔為10分鐘[1]

2圖 1.3 等離子體刻蝕中硅片上方的塵埃以及塵埃顆粒的電鏡圖[3]。工業(yè)制造中，，塵埃等離子體同樣存在。在技術(shù)處理過程和等離子體刻蝕體塵埃顆粒容易從氣體分子生長到納米粒子大小[3]。例如刻蝕中常用的化學(xué)性質(zhì)非�；钴S的氣體，容易產(chǎn)生二氧化硅，分子聚集形成塵埃顆等離子體充電，受到電場力和重力的作用，處于平衡狀態(tài)而被懸浮，隨著放電結(jié)束，電場力消失，顆粒由于重力作用下落，造成污染。在電程中，去除這類等離子體生長的顆粒至關(guān)重要。
【學(xué)位授予單位】：蘇州大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號】：O539

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本文編號：2646955