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基于超導(dǎo)比特的量子調(diào)控和量子模擬

發(fā)布時間:2020-04-28 01:12
【摘要】:量子計算是一種建立在量子力學(xué)基礎(chǔ)上的新型計算方式。借助于量子態(tài)的疊加和糾纏等特性,在解決某些問題時,量子計算機具有相對經(jīng)典計算機的指數(shù)級加速效應(yīng)。不過,它在物理上的實現(xiàn)一直是一個巨大挑戰(zhàn)。過去幾年來,基于超導(dǎo)電路的量子計算研究取得了很大的進步,其良好的可擴展性和易操控的優(yōu)勢吸引了眾多科研機構(gòu)以及科技公司的研究興趣。在這種國際競爭的態(tài)勢下,未來幾年內(nèi),超導(dǎo)量子計算雛形機有可能集成50個以上可同步調(diào)控的量子比特,并有可能在量子模擬和優(yōu)化等有巨大實用價值的問題上超越經(jīng)典計算機。本論文以基于超導(dǎo)量子比特的高精度實驗測控為核心,詳細介紹了個人在博士期間完成的幾項工作。論文的前三章回顧了量子計算以及超導(dǎo)量子比特的基本知識。第四、五章是論文的主體部分。我們先后發(fā)展了超導(dǎo)相位比特和Xmon比特的測控技術(shù)。由于相位比特退相干時間相對較短,不利于大規(guī)模長時序的量子門疊加,我們提出了結(jié)合量子反坍縮和動力學(xué)解耦的方案,能同時抑制比特的相位退相干和能量馳豫效應(yīng)。進一步,我們還研究了不同超導(dǎo)比特中環(huán)境噪音的關(guān)聯(lián)性質(zhì),提出并驗證了通過量子態(tài)傳輸來抑制比特相位退相干的方案。而在相干性很好的Xmon比特調(diào)控方面,我們向多比特集成的方向邁進了一大步。利用一個全連通的量子芯片,我們成功制備并利用大規(guī)模的量子態(tài)層析技術(shù)完整標定了 10比特的Greenberger-Horne-Zeilinger態(tài),保真度達到66.8%,創(chuàng)造了當前固態(tài)體系全局糾纏比特數(shù)的世界記錄。接下來我們利用這個10比特的量子芯片模擬了凝聚態(tài)物理中的多體局域效應(yīng)。借助于超導(dǎo)平臺的高精度和快速調(diào)控的優(yōu)勢,第一次在實驗上觀察到了多體局域的糾纏熵隨時間的對數(shù)增長效應(yīng)。最后一章是對個人研究工作的總結(jié)與展望。比特的退相干效應(yīng)和多比特的擴展一直是實現(xiàn)實用化量子計算要解決的兩個關(guān)鍵性問題。我們通過發(fā)展多樣化的多比特測控方案和技術(shù),為解決這兩個關(guān)鍵難題提供了寶貴的經(jīng)驗和技術(shù)支撐。在此基礎(chǔ)上,我們還演示了 10比特的量子模擬實驗,為應(yīng)用超導(dǎo)量子模擬器研究量子多體系統(tǒng)的復(fù)雜行為奠定了基礎(chǔ)。
【圖文】:

約瑟夫森結(jié),超導(dǎo)電路,約瑟夫森,內(nèi)結(jié)構(gòu)


2.1.2邋SQUID:等效的約瑟夫森結(jié)逡逑兩個約瑟夫森結(jié)并聯(lián)形成的結(jié)構(gòu)為SQUID邋(superconducting邋quantum邋interference邋de-逡逑vice)。這是在超導(dǎo)電路中經(jīng)常用到的一種結(jié)構(gòu)。如圖2-1邋(b)所示,,總電流夂流經(jīng)兩逡逑個約瑟夫森結(jié)的分支,匯合后從SQUID的另一端流出。根據(jù)基爾霍夫電流定律,滿足如下逡逑15逡逑

勢能曲線,約瑟夫森結(jié),電路結(jié)構(gòu)


Xmon比特具有和Transmon類似的電路參數(shù),均是從電荷比特演變而來。Xmon比特逡逑沒有私項,相當于電感無窮大的情況。?Ej/Ec?50。它的勢能曲線是一條正弦震蕩的曲逡逑線,如圖2-5所示。這些勢阱都是等價的,其中一個勢阱中的最低兩個能級就可以看成一個逡逑量子比特。我們先看Xmon比特相對于電荷比特的變化。Xmon比特所用的電容相對于電逡逑荷比特大了邋2個數(shù)量級。更大的電容意味著更大的五j/Ec,對電路中電荷波動敏感度也更逡逑低。這樣Xmon比特就克服了電荷比特容易受電荷噪音影響的缺點。我們再來看Xmon比逡逑特相對于相位比特的特點。由于Xmon比特和相位比特都滿足五它們對電荷噪音逡逑都不敏感。但是Xmon比特相比相位比特采用了更小的結(jié)。Xmon比特的約瑟夫森結(jié)的等效逡逑電感比相位比特大了兩個數(shù)量級。增大結(jié)電感的目的一方面是為了維持和桕位比特類似的逡逑能級差(?(Xmon比特的電容比相位比特少了邋一個數(shù)量級,為了維持諧振頻率不逡逑變需要增大電感),另一方面,更小的結(jié)面積意味著結(jié)絕緣層的缺陷也越少。另外,Xmon逡逑比特比相位比特具有更小的電容。在制備工藝上這種電容是采用真空作為介質(zhì)層的,所以逡逑Xmon比特的電容介質(zhì)層幾乎不具有介電損耗;诖,Xmon比特獲得了比相位比特更長逡逑的退相干時間。逡逑4逡逑19逡逑
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2018
【分類號】:O413.1

【相似文獻】

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本文編號:2642874

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