【摘要】：構(gòu)建了氟化汞(202Hg19F)分子2Σ1/2和2Π1/2態(tài)的有效自旋轉(zhuǎn)動哈密頓量,并計算了該分子基態(tài)的超精細結(jié)構(gòu)及其在外電場中的斯塔克分裂和外磁場中的塞曼分裂。運用一階微擾理論,計算模擬了g-因子在外電場中的變化。探討了利用202Hg19F分子N=1,J=1/2,F=1,MF=±1態(tài)測量電子電偶極矩的可能性(N、J、F為角動量量子數(shù))。
【作者單位】： 華東師范大學精密光譜科學與技術(shù)國家重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(11674096,91536218)
【分類號】：O561

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本文編號：2545044