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硅基片上刻蝕衍射光柵及其平坦化設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2017-12-30 06:21

  本文關(guān)鍵詞:硅基片上刻蝕衍射光柵及其平坦化設(shè)計(jì) 出處:《激光技術(shù)》2017年03期  論文類(lèi)型:期刊論文


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【摘要】:刻蝕衍射光柵(EDG)作為實(shí)現(xiàn)波分復(fù)用功能的關(guān)鍵器件,對(duì)于片上光互連的實(shí)現(xiàn)至關(guān)重要。為了實(shí)現(xiàn)1310nm波段通道間隔為20nm的硅基EDG,采用了基爾霍夫標(biāo)量衍射理論仿真方法進(jìn)行理論設(shè)計(jì)和仿真驗(yàn)證,通過(guò)在閃耀光柵反射面引入布喇格反射光柵來(lái)提高反射效率、降低器件插入損耗,并在入射波導(dǎo)處引入多模干涉耦合器以實(shí)現(xiàn)通道頻譜平坦化設(shè)計(jì)。結(jié)果表明,閃耀光柵反射面的反射效率由35%提高到了85%,1d B帶寬達(dá)到12nm。這對(duì)于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性、增大傳輸距離和容量、降低系統(tǒng)成本具有顯著作用,能夠滿(mǎn)足光互連系統(tǒng)的實(shí)際應(yīng)用需求。
[Abstract]:......
【作者單位】: 中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué);
【基金】:國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61275112;61475180;11204340) 上海市自然科學(xué)基金重點(diǎn)資助項(xiàng)目(14JC1407600);上海市自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(16ZR1442600)
【分類(lèi)號(hào)】:TN256
【正文快照】: 100049)引言隨著多核計(jì)算時(shí)代的來(lái)臨,人們對(duì)信息處理、傳輸速度的要求不斷提高,電互連技術(shù)由于串?dāng)_、延遲和功耗等缺陷成為系統(tǒng)發(fā)展的瓶頸。采用光互連取代電互連可以有效解決這一難題[1]。在光互連的具體實(shí)施方案中,硅基光互連以其無(wú)可比擬的成本和技術(shù)優(yōu)勢(shì)成為首選,既能發(fā)揮

【參考文獻(xiàn)】

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1 安俊明;張家順;王s,

本文編號(hào):1353716


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