發(fā)布時間：2017-12-26 16:37

  本文關(guān)鍵詞：SOI器件瞬時劑量率效應(yīng)的激光模擬技術(shù)研究　出處：《原子能科學(xué)技術(shù)》2017年01期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：為驗證激光模擬技術(shù)用于半導(dǎo)體SOI器件瞬時劑量率效應(yīng)研究的可行性,對其優(yōu)勢和主要原理進行了分析。利用0.13μm SOI MOS器件單管測試芯片進行了激光輻射實驗,獲得了不同尺寸器件輻射所激發(fā)的瞬時光電流與激光入射能量的關(guān)系曲線,并計算得到了線性擬合后的光電流表達式。通過激光實驗數(shù)據(jù)與器件TCAD仿真結(jié)果的對比,獲得了本文實驗條件下的輻射劑量率-激光能量模擬等效關(guān)系。結(jié)果表明,激光模擬技術(shù)可用于半導(dǎo)體SOI器件瞬時劑量率效應(yīng)研究。
[Abstract]:In order to verify the feasibility of using laser simulation technology to study the instantaneous dose rate effect of semiconductor SOI devices, the advantages and main principles of laser simulation are analyzed. The experiment of laser radiation is carried out by using the single tube test chip of 0.13 m SOI MOS. The relationship between the instantaneous current excited by different radiation and the incident energy of laser is obtained, and the expression of photocurrent after linear fitting is calculated. By comparing the laser experimental data with the simulation results of the device TCAD, the equivalent relationship between the radiation dose rate and the laser energy simulation under the experimental conditions is obtained. The results show that the laser simulation technology can be used to study the instantaneous dose rate effect of semiconductor SOI devices.
【作者單位】： 中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心;中國工程物理研究院電子工程研究所;
【基金】：中國工程物理研究院院長基金資助項目(2014-1-100)
【分類號】：TN24;TN303
【正文快照】： SOI工藝是在傳統(tǒng)體硅襯底中引入SiO2埋氧層以實現(xiàn)器件全介質(zhì)隔離的工藝。SOI器件由于可消除體硅CMOS電路的寄生閂鎖效應(yīng),并具有較強的抗單粒子和瞬時輻射能力而備受關(guān)注[1]。SOI器件的瞬時劑量率效應(yīng)是指暴露于脈沖γ射線輻射的半導(dǎo)體SOI器件所表現(xiàn)出的電離輻射損傷[2],其機理

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本文編號：1338031