本文關(guān)鍵詞：基于SOI微環(huán)諧振腔的表面光滑化研究

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【摘要】：針對硅波導(dǎo)粗糙側(cè)壁引起的散射損耗是影響SOI微環(huán)諧振腔傳輸性能主要因素的問題,采用熱氧化對MEMS工藝制備的微環(huán)諧振腔粗糙側(cè)壁進行表面光滑化修飾。利用耦合實驗測試其傳輸性能,同時分析了熱氧化溫度與微環(huán)諧振腔傳輸特性之間的關(guān)系。實驗結(jié)果表明,氧化溫度在1 000℃時,硅波導(dǎo)粗糙側(cè)壁改善效果明顯,此時微環(huán)諧振腔具有較好的耦合效率和較高的Q值,Q值高達1.2×104。實驗結(jié)果為硅波導(dǎo)傳感器表面光滑化研究提供了重要的參考依據(jù)。
【作者單位】： 中北大學(xué)電子測試技術(shù)國家重點實驗室儀器科學(xué)與動態(tài)測試教育部重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金項目(61675185,61275166) 山西省自然科學(xué)基金項目(2016010203100046) 山西省高等院校中青年拔尖創(chuàng)新人才及山西省高校“131”領(lǐng)導(dǎo)人才計劃項目 中北大學(xué)杰出青年基金項目
【分類號】：TN256
【正文快照】： 0引言隨著集成光學(xué)的發(fā)展,絕緣體上硅(silicon on insu-lator,SOI)微納光子器件的制造及集成迅速成為關(guān)注的熱點。SOI材料憑借硅材料與二氧化硅材料之間的高折射率差,有效地減少了光泄漏,從而廣泛應(yīng)用在光開關(guān)、濾波器、激光器、光調(diào)制器、隔離器和光學(xué)陀螺等多個領(lǐng)域[1-4]。

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本文編號：1273993