本文關(guān)鍵詞：氧化孔徑限制垂直腔面發(fā)射激光器的電極優(yōu)化

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【摘要】：垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VCSEL)限制電流流入的方式有許多種,其中氧化孔徑(電流注入孔徑)限制法制備工藝簡(jiǎn)單,成為普遍選用的方式。模擬結(jié)果顯示,對(duì)于氧化孔徑限制VCSEL,在氧化孔徑邊緣處電流密度最大。模擬P型電極內(nèi)環(huán)半徑對(duì)注入孔徑電流密度的影響,結(jié)果表明P型電極內(nèi)環(huán)半徑越大,器件氧化孔徑邊緣的電流密度越大,對(duì)應(yīng)的器件工作電壓越大,輸出光功率越低。綜合考慮器件結(jié)構(gòu)的光場(chǎng)分布和發(fā)散角分布,計(jì)算器件表面光斑面積,得到P型電極內(nèi)環(huán)半徑的最優(yōu)值為8μm。
【作者單位】： 北京工業(yè)大學(xué)信息學(xué)部;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(11204009) 北京市自然科學(xué)基金(4142005) 北京市教委創(chuàng)新能力提升計(jì)劃(TJSHG201310005001)
【分類號(hào)】：TN248.4
【正文快照】： 近年來,垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器(VCSEL)以其低成本、低驅(qū)動(dòng)電流、低發(fā)散角、圓形光束,及輸出功率更高、線寬更窄從而可實(shí)現(xiàn)一維、二維高密度集成等優(yōu)點(diǎn),在自由空間光通信、光信息處理、全光通信和激光抽運(yùn)等領(lǐng)域備受青睞[1-4]。目前垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器在激光顯示、激，

本文編號(hào)：1260558