Ku波段4×4瓦片式T/R組件的設(shè)計和實現(xiàn)
發(fā)布時間:2021-04-01 21:16
本文設(shè)計和實現(xiàn)一種4×4結(jié)構(gòu)、高密度、高性能的瓦片式T/R組件。該T/R組件內(nèi)部集成有16個收發(fā)分時工作的T/R通道,每個通道可以單獨開關(guān)電、單獨進行幅度和相位控制。組件內(nèi)接收通道增益≥27.0dB,噪聲系數(shù)≤3.8dB,發(fā)射通道輸出功率≥23.5dBm,6位數(shù)控衰減均方根誤差(RMS)≤0.8dB,6位數(shù)控移相均方根誤差(RMS)≤3.5°。產(chǎn)品尺寸為46mm×38mm×9mm(微波傳輸方向9.25mm),重量≤40g。
【文章來源】:電子測試. 2020,(16)
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
T/R組件原理圖
圖1 T/R組件原理圖1分8功分網(wǎng)絡(luò)主要由1分8的帶狀線功分器、公共通道增益放大器、公共通道溫補衰減器等組成。1分8功分器主要是將外部輸入的信號采用等功分的方式輸出。公共通道增益放大器提高組件增益,降低前級放大器增益過高的壓力,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。一般而言,當(dāng)溫度升高/降低時,系統(tǒng)的輸出功率及增益將會降低/升高,系統(tǒng)的輸出功率及增益將隨溫度變化,導(dǎo)致系統(tǒng)指標(biāo)受到嚴(yán)重影響。為此在公共通道增加溫補衰減器,用來補償因為高低溫變化帶來芯片增益和功率的變化。
圖3為雙向放大多功能芯片的原理圖,該芯片采用GaAs工藝,集成單刀三擲開關(guān)、50Ω負(fù)載、功率放大器、限幅器、低噪聲放大器等等。1.3 幅相多功能芯片設(shè)計
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Ku波段多通道瓦片式T/R組件的設(shè)計[J]. 劉衛(wèi)強,巨景超,郭超. 現(xiàn)代導(dǎo)航. 2019(02)
[2]基于多層PCB布線的Ku波段TR組件的設(shè)計[J]. 胡仕偉,方圓,錢志宇. 電子與封裝. 2013(11)
本文編號:3113984
【文章來源】:電子測試. 2020,(16)
【文章頁數(shù)】:4 頁
【部分圖文】:
T/R組件原理圖
圖1 T/R組件原理圖1分8功分網(wǎng)絡(luò)主要由1分8的帶狀線功分器、公共通道增益放大器、公共通道溫補衰減器等組成。1分8功分器主要是將外部輸入的信號采用等功分的方式輸出。公共通道增益放大器提高組件增益,降低前級放大器增益過高的壓力,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。一般而言,當(dāng)溫度升高/降低時,系統(tǒng)的輸出功率及增益將會降低/升高,系統(tǒng)的輸出功率及增益將隨溫度變化,導(dǎo)致系統(tǒng)指標(biāo)受到嚴(yán)重影響。為此在公共通道增加溫補衰減器,用來補償因為高低溫變化帶來芯片增益和功率的變化。
圖3為雙向放大多功能芯片的原理圖,該芯片采用GaAs工藝,集成單刀三擲開關(guān)、50Ω負(fù)載、功率放大器、限幅器、低噪聲放大器等等。1.3 幅相多功能芯片設(shè)計
【參考文獻】:
期刊論文
[1]Ku波段多通道瓦片式T/R組件的設(shè)計[J]. 劉衛(wèi)強,巨景超,郭超. 現(xiàn)代導(dǎo)航. 2019(02)
[2]基于多層PCB布線的Ku波段TR組件的設(shè)計[J]. 胡仕偉,方圓,錢志宇. 電子與封裝. 2013(11)
本文編號:3113984
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