【摘要】：近年來(lái),隨著無(wú)線通信技術(shù)的發(fā)展,各種為了滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景和需求的無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)層出不窮。軟件無(wú)線電的提出可以協(xié)調(diào)不同通信體制的兼容性問(wèn)題,這就需要覆蓋頻帶更廣、可配置性更靈活、性能指標(biāo)更苛刻的射頻芯片作為強(qiáng)有力的硬件平臺(tái)支撐�；贑MOS 65nm工藝,本論文設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于軟件無(wú)線電架構(gòu)的發(fā)射機(jī),頻段覆蓋300MHz～2.7GHz的頻率范圍。為了降低功耗提高芯片集成度,發(fā)射機(jī)采用的是直接正交上變頻架構(gòu)。數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)采用的是14比特的電流舵結(jié)構(gòu),通過(guò)分段譯碼和動(dòng)態(tài)原件匹配(Dynamic Element Mapping,DEM)技術(shù)對(duì)DAC的動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行優(yōu)化,同時(shí)為了增強(qiáng)設(shè)計(jì)的魯棒性,DAC的單位電流源大小設(shè)計(jì)成可配置的。低通濾波器(LPF)采用的是巴特沃斯三階有源RC低通濾波器,增益覆蓋-18～11.5dB,具備6dB粗調(diào)步進(jìn)和0.5dB細(xì)調(diào)步進(jìn),帶寬覆蓋1～32MHz。LPF設(shè)計(jì)過(guò)程中提出了可配置的前饋放大器,以實(shí)現(xiàn)性能功耗的最優(yōu)。為了提高線性度,上混頻器采用的是帶源極反饋電阻的吉爾伯特結(jié)構(gòu)。論文對(duì)每個(gè)模塊原理圖和版圖做了詳細(xì)的設(shè)計(jì),并且做了充分的仿真驗(yàn)證。芯片采用板上芯片封裝(chip onboard,COB)方式測(cè)試,結(jié)果表明:在未校準(zhǔn)下,發(fā)射機(jī)的鏡像抑制和本振泄露可以達(dá)到-40dBc以上,OIP3可以達(dá)到14dBm。
【學(xué)位授予單位】：浙江大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2018
【分類號(hào)】：TN92
【圖文】：

２發(fā)射機(jī)系統(tǒng)架構(gòu)及指標(biāo)分析逡逑度相位失配的等高線圖用ｍａｔｌａｂ描繪出來(lái)，如圖２．邋６所示：逡逑１０°邋邐邐邐＇邋＾￣１邐邐邋＇邋＇￣￣＇￣＇邋Ｉ邐＇邋ｒ邋＇￣￣＇￣＇邋■邋＇邋＇邋？逡逑２０ｄＢ逡逑１０＇＇邋＇邐＂．．．．．．、．２遍邐＼逡逑—．．．．．．———．．．＂￣＿．．一．．．．邋一邐、邋；邋：逡逑＊＊＊邐＇＇邋ｎ３0ｃＩＢ逡逑０．０７ｄＢ＿邐邐邐邋＇５ＭＢ邋＼邐ｊ邐ｊ邐．逡逑４０ｄＢ逡逑一２邋—邐一邐邐邐邋＼邐＼邐－邐５邐．邐－逡逑１0邋：邋、＇，邋＼邋）邋［？邋：逡逑：邋＇丨逡逑．邐、＼邋＼邋Ｉ邋Ｉ邋ｌ邋｜邋Ｉ邋：逡逑＼邐ｉ邐ｌ邐Ｉ邐｜逡逑．３邋邐邋．邋．邐，邐．邋Ｉ邐｜邋：邐邐邐邐邐邐邐邐邐邐邋■邋■－」逡逑１0１0－３邐１0－２邐00２邐１０－１邐１０°逡逑△ｅ逡逑圖２．６鏡像抑制比受幅度相位失配的影響逡逑如圖可知，要達(dá)到－４０ｄＢ以上的鏡像抑制比，相位失配應(yīng)該小于0．0２°，幅逡逑度失配應(yīng)該達(dá)到0．0７ｄＢ以內(nèi)。逡逑發(fā)射機(jī)的本振泄露性能可以由相對(duì)本振泄露（ｒｅｌａｔｉｖｅ邋ｃａｒｒｉｅｒ邋ｌｅａｋａｇｅ，邋ＲＣＬ）指逡逑標(biāo)來(lái)表示：逡逑ＲＣＬ＝Ｖ＾＋Ｗ邐（２．２）逡逑Ｍｌ逡逑式（２．２）中，Ｆ０Ｓｌ＊ｒ０ＳＱ分別是等效到正交上混頻器的ＩＱ輸入直流失調(diào)逡逑量，主要來(lái)源于發(fā)射通道中的二次非線性；Ｍ丨是正交上混頻器的輸入基帶信號(hào)幅逡逑度。本振泄露對(duì)通信的影響體現(xiàn)在兩個(gè)方面。首先，會(huì)破壞發(fā)射信號(hào)的信號(hào)星座逡逑圖

圖２．邋７三階交調(diào)特性和ＡＣＬＲ關(guān)系圖逡逑

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 薛曉博;高速高精度電流舵數(shù)模轉(zhuǎn)換器關(guān)鍵設(shè)計(jì)技術(shù)的研究與實(shí)現(xiàn)[D];浙江大學(xué);2014年

本文編號(hào)：2733528