【摘要】：對(duì)TFT-LCD器件氧化銦錫(ITO)層無退火新工藝進(jìn)行了深入研究,通過將氧化銦錫相變與聚酰亞胺(PI)膜固化過程同步進(jìn)行,簡(jiǎn)化了工藝過程,節(jié)約了生產(chǎn)成本。采用無退火工藝氧化銦錫膜層的平均電阻值和膜層透過率與傳統(tǒng)高溫退火工藝下基本相同,可以實(shí)現(xiàn)低的電阻值和高的透過率。無退火工藝下PI膜表面平整均勻,氧化銦錫膜與PI膜界面結(jié)合良好,無鼓包、麻點(diǎn)等,也沒有反應(yīng)產(chǎn)物生成;經(jīng)過TFT特性測(cè)試發(fā)現(xiàn),無退火工藝比高溫退火工藝條件下,無論暗態(tài)還是光照狀態(tài),開電流沒有明顯區(qū)別,漏電流可降低44%;通過無退火工藝和傳統(tǒng)高溫退火工藝制備的液晶顯示屏的V-T特性相同。
[Abstract]:A new annealing free process of indium tin oxide (ITO) layer for TFT-LCD devices was studied. By synchronizing the phase transition of indium tin oxide with the curing process of polyimide (PI) film, the process was simplified and the production cost was saved. The average resistance and transmittance of indium tin oxide film by non-annealing process are basically the same as those of traditional high temperature annealing process, and the low resistance value and high transmittance can be achieved. Without annealing, the surface of PI film is flat and uniform, the interface between indium tin oxide film and PI film is good, there is no bulge, no spot, and no reaction product is formed. The results of TFT test show that the annealing process is better than that of high temperature annealing process. There is no significant difference between the open current and the light state, and the leakage current can be reduced by 44%, and the V-T characteristics of the liquid crystal display screen prepared by the non-annealing process and the traditional high temperature annealing process are the same.
【作者單位】： 北京京東方光電科技有限公司;
【分類號(hào)】：TN873.93

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本文編號(hào)：2203362