隨著摩爾定律的不斷推進(jìn),集成電路的特征尺寸在不斷縮小。當(dāng)工藝節(jié)點(diǎn)小于100nm時(shí),現(xiàn)有的光刻技術(shù)會(huì)明顯受到光學(xué)鄰近效應(yīng)、刻線(xiàn)邊緣粗糙度等因素的影響,使掩模版圖案與轉(zhuǎn)移到光刻膠上的圖形有較大差異。這些偏差有可能會(huì)引起晶圓中存在缺陷。為保證晶圓制造的良率,通常采用一些方法對(duì)光刻后的掃描電鏡（Scanning Electron Microscope,SEM）圖像做分析,找出晶圓表面的缺陷。然而,獲得大量實(shí)際的SEM圖像并不簡(jiǎn)單,用于驗(yàn)證和比較的真實(shí)數(shù)據(jù)集非常有限。因此現(xiàn)有的晶圓缺陷檢測(cè)算法很多都是基于模擬晶圓數(shù)據(jù)進(jìn)行測(cè)試的。本文根據(jù)某晶圓廠的實(shí)際需求,嘗試使用其提供的先進(jìn)工藝SEM圖像以及電路版圖,生成更多有效的SEM圖像。在后續(xù)流程中,研究人員可以直接使用這些圖像,也可以對(duì)其稍加修改后使用。具體內(nèi)容如下:1)提出了一種基于pix2pix網(wǎng)絡(luò)的深度學(xué)習(xí)方法來(lái)生成晶圓SEM圖像。首先,結(jié)合晶圓廠提供的SEM圖像特征,設(shè)計(jì)了一種模式識(shí)別算法,用于從芯片版圖中搜索一組SEM圖像的多邊形圖案。其次,利用收集到的版圖-SEM圖數(shù)據(jù)集,訓(xùn)練生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)模型。實(shí)驗(yàn)表明,該方法合成的圖像可以較好地模擬出SE... 

【文章來(lái)源】：浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

歷年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售總額

晶圓缺陷示例圖

圖1.5位于接觸孔和多晶硅柵極上的針孔缺陷圖[8]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]基于局部與非局部線(xiàn)性判別分析和高斯混合模型動(dòng)態(tài)集成的晶圓表面缺陷探測(cè)與識(shí)別[J]. 余建波,盧笑蕾,宗衛(wèi)周.  自動(dòng)化學(xué)報(bào). 2016(01)

博士論文
[1]亞波長(zhǎng)光刻條件下集成電路可制造性設(shè)計(jì)與驗(yàn)證技術(shù)研究[D]. 史崢.浙江大學(xué) 2005



本文編號(hào)：3397082