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嵌入式SRAM編譯器時序功耗模型的建立與驗證

發(fā)布時間:2017-07-16 05:07

  本文關鍵詞:嵌入式SRAM編譯器時序功耗模型的建立與驗證


  更多相關文章: SRAM 編譯器 SoC 時序模型 功耗模型


【摘要】:嵌入式存儲器作為SoC系統(tǒng)中的重要組成部分,其在SoC中的作用日益增加。首先,SoC芯片數(shù)據(jù)通道的關鍵路徑上存在一些SRAM,使芯片的速度受到SRAM的訪問速度的直接制約;其次,SRAM的功耗占據(jù)SoC芯片整體功耗的比重逐漸增加,它由SRAM存儲容量和讀寫速度的增加造成的;再次,芯片的面積和成本受到SRAM集成度的影響,而這可以通過使用高水平的設計技術和先進的物理實現(xiàn)技術降低影響;總體來講就是SoC各性能的發(fā)展瓶頸是SoC中SRAM造成的,如速度(頻率)、功耗和面積。所以制作位于關鍵路徑上的SRAM對實現(xiàn)SoC芯片整體性能的提高,功耗以及成本的降低非常有利,這些SRAM具有高速、低功耗、高密度等特性。當今半導體行業(yè)通常利用全定制和SRAM編譯器兩種設計方法產(chǎn)生需要的存儲器。 本文采用SRAM編譯器快速生成用戶群體各自所需的SRAM IP核,采用了確保SRAM穩(wěn)定性和高性能等的全定制設計方法。用戶能夠從產(chǎn)生的Datasheet文件中用戶可以直接讀取SRAM的性能參數(shù),包括時序和功耗等,其中Datasheet文件中的數(shù)據(jù)來源于Lib庫中參數(shù)模型解析的結果,對SRAM的性能參數(shù)我們通過建立模型的方法表明。常用建模方案有解析模型法和統(tǒng)計模型法。目前的編譯器普遍還存在的問題是設計周期長,對具體SRAM電路結構的依賴程度比較高,開發(fā)過程中的重復性投入,設計效率低下。 本文基于SRAM的研究分析的基礎上,對編譯器設計中涉及到的參數(shù)模型重新整理分析,針對不同容量的SRAM分別提出了新的時序、功耗模型方案。首先,針對大容量SRAM字線負載過大的問題使用了分等級字線譯碼結構技術,使工作的字線上負載大幅度的降低;其次,對于那些容量大于32KB的SRAM利用分模塊譯碼技術,使每次只有一個模塊處于工作狀態(tài),更有利于提高SRAM的性能和降低功耗;再次,建立了不同容量SRAM的時序功耗模型;最后,制作了SRAM編譯器的Lib、Datasheet等模板文件,并對其進行驗證。采用上述方案可以從提高SRAM編譯器的通用性及靈活性,從下面幾個方面能很好的進行說明:一、自主選擇架構,根據(jù)用戶的要求實現(xiàn)最優(yōu)SRAM架構的選擇,以平衡面積、延時、功耗的要求;二、通用性強,只要提供相應的模板文件及特定工藝的單元庫,就可編譯生成任何類型的存儲器;三、較好的時序及功耗計算方法,能夠基于選擇的SRAM結構合理的選擇Lib庫文件中的參數(shù)模型。
【關鍵詞】:SRAM 編譯器 SoC 時序模型 功耗模型
【學位授予單位】:安徽大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2014
【分類號】:TP333
【目錄】:
  • 摘要3-5
  • Abstract5-9
  • 第1章 緒論9-14
  • 1.1 研究背景及意義9-10
  • 1.2 嵌入式SRAM的設計方法10-12
  • 1.3 論文的研究內(nèi)容12-13
  • 1.4 論文的組織架構13-14
  • 第2章 SRAM編譯器的研究現(xiàn)狀14-30
  • 2.1 編譯器設計流程14-18
  • 2.2 編譯器設計的研究現(xiàn)狀18-21
  • 2.2.1 國外研究現(xiàn)狀18-20
  • 2.2.2 國內(nèi)研究現(xiàn)狀20-21
  • 2.3 SRAM電路結構的實現(xiàn)21-29
  • 2.3.1 SRAM設計面臨的問題21-23
  • 2.3.2 電路的功耗和延時23-25
  • 2.3.3 電路結構的優(yōu)化25-29
  • 2.4 本章小結29-30
  • 第3章 編譯器生成SRAM性能建模30-53
  • 3.1 常見的建模方法30-38
  • 3.1.1 時序模型30-35
  • 3.1.1.1 基于小模塊的解析模型31-33
  • 3.1.1.2 基于互連線的延時33-35
  • 3.1.2 功耗模型35-38
  • 3.1.2.1 基于解析模型的動態(tài)功耗36
  • 3.1.2.2 基于統(tǒng)計模型的泄漏功耗36-38
  • 3.2 32KB以下建模方法38-43
  • 3.2.1 時序模型40-42
  • 3.2.2 功耗模型42-43
  • 3.2.2.1 動態(tài)功耗的建模42-43
  • 3.2.2.2 泄漏功耗的建模43
  • 3.3 大于32KB的建模方法43-52
  • 3.3.1 時序模型43-48
  • 3.3.1.1 控制模塊的延時43-46
  • 3.3.1.2 互連線延時46-47
  • 3.3.1.3 Tcq模型47-48
  • 3.3.2 功耗模型48-52
  • 3.3.2.1 動態(tài)功耗模型48-51
  • 3.3.2.2 泄漏功耗模型51-52
  • 3.4 本章小結52-53
  • 第4章 模板文件的制作及對應生成文件的驗證53-60
  • 4.1 Lib和Datasheet模板文件的制作53-55
  • 4.2 編譯器生成lib和datasheet文件的驗證55-59
  • 4.2.1 32KB以下小容量lib和datasheet文件的驗證57-58
  • 4.2.2 32KB以上容量lib和datasheet文件的驗證58-59
  • 4.3 本章小結59-60
  • 第5章 總結與展望60-61
  • 參考文獻61-65
  • 圖表目錄65-67
  • 致謝67

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本文編號:547156

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