本文關(guān)鍵詞：基于SOC的高性能存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)

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【摘要】：基于片上系統(tǒng)(SOC)和專(zhuān)用集成電路(ASIC)對(duì)外部存儲(chǔ)器控制器的數(shù)據(jù)吞吐率要求越來(lái)越高,采用功能模塊化的設(shè)計(jì)方法設(shè)計(jì)了一種具有較高吞吐量、良好的可配置性和多用途的存儲(chǔ)器控制器,并詳細(xì)分析了其內(nèi)部結(jié)構(gòu).該控制器在SMIC 0.18μm CMOS的工藝下,可以穩(wěn)定運(yùn)行在100 MHz.與公開(kāi)發(fā)表的類(lèi)似論文相比,該方案可支持多種不同型號(hào)不同類(lèi)型的存儲(chǔ)器等優(yōu)勢(shì).目前,該控制器已應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的圖像信息預(yù)處理SOC,該芯片在板級(jí)硬件環(huán)境中的測(cè)試結(jié)果表明該控制器具有較好的性能.
【作者單位】： 華中科技大學(xué)自動(dòng)化學(xué)院多譜信息處理技術(shù)國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： SDRAM SRAM NorFlash 可配置性 SOC
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【正文快照】： 1引言在SOC和ASIC芯片的設(shè)計(jì)中,由于片上存儲(chǔ)器的容量限制,較多的此類(lèi)芯片需要外部存儲(chǔ)器進(jìn)行數(shù)據(jù)緩存.然而隨著SOC和ASIC內(nèi)核性能的不斷提升,存儲(chǔ)器帶寬已成為芯片整體性能提升的瓶頸.集成在內(nèi)部的外部存儲(chǔ)器控制器接口是制約存儲(chǔ)器帶寬的因素之一[1].目前較為常用的外部存儲(chǔ)

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本文編號(hào)：540091