本文關(guān)鍵詞：提高NAND Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：近年來(lái)NAND Flash憑借更大的存儲(chǔ)容量、更快的I/O響應(yīng)能力和更低的功耗等獨(dú)有的特性得到了快速的發(fā)展，，成為一種非常重要的存儲(chǔ)介質(zhì)，并且廣泛的應(yīng)用于高速大容量存儲(chǔ)器中，進(jìn)而應(yīng)用于雷達(dá)外場(chǎng)試驗(yàn)和電子信號(hào)偵察等外場(chǎng)實(shí)驗(yàn)和作戰(zhàn)中。本文致力于研究提高NAND Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵技術(shù)研究，并且提出一些解決方案來(lái)解決基于NAND Flash的存儲(chǔ)系統(tǒng)在可靠性方面的不足。 本文首先介紹了NAND Flash的可靠性問(wèn)題，分析并提出了一些保障數(shù)據(jù)完整可靠性的解決方案，如采用硬件實(shí)現(xiàn)的糾錯(cuò)技術(shù)以減小存儲(chǔ)錯(cuò)誤率、采用可靠的壞塊管理技術(shù)以避免壞塊影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性、采用磨損均衡算法以提高存儲(chǔ)系統(tǒng)的壽命。然后主要針對(duì)存儲(chǔ)系統(tǒng)中的糾錯(cuò)技術(shù)展開(kāi)了詳細(xì)的介紹，利用Hamming碼和BCH碼兩種糾錯(cuò)技術(shù)來(lái)解決NAND Flash的誤碼問(wèn)題，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)和測(cè)試對(duì)其糾錯(cuò)能力進(jìn)行了驗(yàn)證。繼而又對(duì)壞塊管理技術(shù)和磨損均衡技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行了簡(jiǎn)要介紹。最后對(duì)本文的研究?jī)?nèi)容做出了總結(jié)和展望。
【關(guān)鍵詞】：NAND Flash 糾錯(cuò)技術(shù) 壞塊管理 磨損均衡
【學(xué)位授予單位】：北京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要5-6
• Abstract6-9
• 圖目錄9-11
• 表目錄11-12
• 第1章 緒論12-19
• 1.1 課題研究背景和意義12
• 1.2 NAND Flash 介紹12-16
• 1.2.1 NAND Flash 芯片結(jié)構(gòu)13-14
• 1.2.2 NAND Flash 分類(lèi)14-15
• 1.2.3 NAND Flash 的誤碼率15-16
• 1.3 可靠性研究的必要性16-18
• 1.4 論文結(jié)構(gòu)及其章節(jié)安排18-19
• 第2章 糾錯(cuò)技術(shù)的研究19-33
• 2.1 概述19
• 2.2 Hamming 碼糾錯(cuò)19-26
• 2.2.1 Hamming 碼簡(jiǎn)介19-20
• 2.2.2 編碼原理20-24
• 2.2.3 譯碼原理24-26
• 2.3 BCH 碼糾錯(cuò)26-32
• 2.3.1 BCH 碼簡(jiǎn)介26
• 2.3.2 BCH 碼基本原理26-28
• 2.3.3 編碼原理28-30
• 2.3.4 譯碼原理30-32
• 2.4 本章小結(jié)32-33
• 第3章 糾錯(cuò)技術(shù)的設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)33-58
• 3.1 Hamming 碼糾錯(cuò)33-50
• 3.1.1 參數(shù)選擇34-36
• 3.1.2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)36-37
• 3.1.3 FPGA 實(shí)現(xiàn)37-40
• 3.1.4 驗(yàn)證及結(jié)果40-49
• 3.1.5 占用資源論證49-50
• 3.2 BCH 碼糾錯(cuò)50-55
• 3.2.1 BCH IP 核介紹50-51
• 3.2.2 FPGA 設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)51-52
• 3.2.3 驗(yàn)證及結(jié)果52-55
• 3.2.4 占用資源論證55
• 3.3 對(duì)比與分析55-57
• 3.4 本章小結(jié)57-58
• 第4章 壞塊管理與磨損均衡技術(shù)研究58-66
• 4.1 壞塊管理技術(shù)58-61
• 4.1.1 概述58
• 4.1.2 壞塊管理的實(shí)現(xiàn)58-61
• 4.2 磨損均衡技術(shù)61-66
• 4.2.1 概述61-62
• 4.2.2 磨損均衡的研究62-65
• 4.2.3 磨損均衡技術(shù)的應(yīng)用65-66
• 結(jié)論66-67
• 參考文獻(xiàn)67-70
• 攻讀學(xué)位期間發(fā)表論文與研究成果清單70-71
• 致謝71

【參考文獻(xiàn)】

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  本文關(guān)鍵詞：提高NAND Flash存儲(chǔ)系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：489343