本文關(guān)鍵詞：MLC型NAND閃存的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：MLC型NAND閃存由于低成本、大容量等優(yōu)點(diǎn)而得到廣泛應(yīng)用。多級(jí)存儲(chǔ)單元(MLC)技術(shù)可用來(lái)提高NAND閃存的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)密度(容量)，然而，隨著NAND閃存芯片封裝尺寸的縮小，MLC型NAND閃存的可靠性面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，無(wú)法滿足未來(lái)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求，而糾錯(cuò)編碼是提高閃速存儲(chǔ)系統(tǒng)可靠性的有效途徑。 本文對(duì)MLC型NAND閃存的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)進(jìn)行了研究，針對(duì)閃存的數(shù)據(jù)表示和錯(cuò)誤類(lèi)型，分析并給出了相應(yīng)的解決方案和糾錯(cuò)算法，主要內(nèi)容如下： 1.概括了閃存的特性和差錯(cuò)控制基礎(chǔ)，介紹了NAND閃存存儲(chǔ)單元的編程、擦除操作和理想的閾值電壓分布，并詳細(xì)分析了閃存信道噪聲模型及其對(duì)閾值電壓分布的影響。 2.為了降低過(guò)度編程的風(fēng)險(xiǎn)和電荷泄露的影響，分析了用置換存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的等級(jí)調(diào)制方案，，并給出實(shí)現(xiàn)該方案的兩種等級(jí)調(diào)制格雷碼和用等級(jí)表示置換的計(jì)數(shù)算法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明平衡等級(jí)調(diào)制格雷碼的躍變代價(jià)比非平衡等級(jí)調(diào)制格雷碼小。 3.針對(duì)閃存系統(tǒng)級(jí)的錯(cuò)誤，分析了存儲(chǔ)單元的非均勻存儲(chǔ)感知方案和計(jì)算對(duì)數(shù)似然率的數(shù)學(xué)模型，并給出了感知電壓和LLR的計(jì)算結(jié)果；針對(duì)MLC型NAND閃存特有的錯(cuò)誤，給出了有限強(qiáng)度錯(cuò)誤奇偶校驗(yàn)算法和雙向有限強(qiáng)度糾錯(cuò)算法。仿真結(jié)果表明雙向有限強(qiáng)度糾錯(cuò)算法的糾錯(cuò)性能優(yōu)于有限強(qiáng)度奇偶校驗(yàn)算法。
【關(guān)鍵詞】：MLC型NAND閃存 等級(jí)調(diào)制格雷碼 存儲(chǔ)感知 對(duì)數(shù)似然率 有限強(qiáng)度錯(cuò)誤
【學(xué)位授予單位】：西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2014
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要3-4
• Abstract4-7
• 第一章 緒論7-13
• 1.1 課題背景及面臨的問(wèn)題7-8
• 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀8-12
• 1.2.1 針對(duì)塊刪除特性的閃存編碼方案9-11
• 1.2.2 系統(tǒng)級(jí)閃存差錯(cuò)控制編碼技術(shù)11-12
• 1.3 研究意義及應(yīng)用前景12
• 1.4 本文主要工作和內(nèi)容安排12-13
• 第二章 NAND 閃存基礎(chǔ)和噪聲信道模型13-21
• 2.1 閃存特性13-17
• 2.1.1 閃存的類(lèi)型13-14
• 2.1.2 NAND 閃存的結(jié)構(gòu)14-16
• 2.1.3 NAND 閃存的操作模型16-17
• 2.2 NAND 閃存的信道模型和干擾源17-19
• 2.2.1 單元間干擾17-18
• 2.2.2 PE 循環(huán)的影響18
• 2.2.3 MLC 型 NAND 閃存信道模型18-19
• 2.3 NAND 閃存的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)基礎(chǔ)19-20
• 2.4 本章小結(jié)20-21
• 第三章 MLC 型 NAND 閃存的等級(jí)調(diào)制方案21-31
• 3.1 等級(jí)調(diào)制方案21-22
• 3.2 等級(jí)調(diào)制格雷碼22-25
• 3.3 平衡的等級(jí)調(diào)制格雷碼25-28
• 3.3.1 平衡等級(jí)調(diào)制格雷碼的定義和構(gòu)造25-26
• 3.3.2 用等級(jí)表示置換26-28
• 3.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果及分析28-30
• 3.5 本章小結(jié)30-31
• 第四章 MLC 型 NAND 閃存的差錯(cuò)控制31-51
• 4.1 NAND 閃存的錯(cuò)誤類(lèi)型31-32
• 4.2 系統(tǒng)級(jí)的差錯(cuò)控制32-39
• 4.2.1 閃存單元的存儲(chǔ)感知32-34
• 4.2.2 軟判決 LLR 的計(jì)算方法34-37
• 4.2.3 計(jì)算結(jié)果及分析37-39
• 4.3 NAND 閃存特有錯(cuò)誤的差錯(cuò)控制39-49
• 4.3.1 利用奇偶校驗(yàn)碼糾正有限強(qiáng)度錯(cuò)誤39-43
• 4.3.2 雙向有限強(qiáng)度糾錯(cuò)算法43-47
• 4.3.3 仿真結(jié)果及分析47-49
• 4.4 本章小結(jié)49-51
• 結(jié)束語(yǔ)51-53
• 致謝53-55
• 參考文獻(xiàn)55-61
• 攻讀碩士期間完成的論文和參與的科研工作61-62

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前2條

1 韓可;鄧中亮;黃建明;;高速層進(jìn)式Nand Flash差錯(cuò)控制編碼[J];北京郵電大學(xué)學(xué)報(bào);2010年03期

2 林倩;;Flash閃存技術(shù)淺析[J];產(chǎn)業(yè)與科技論壇;2007年09期

  本文關(guān)鍵詞：MLC型NAND閃存的差錯(cuò)控制編碼技術(shù)研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：458467