發(fā)布時(shí)間：2025-01-17 13:54

　　隨著信息科學(xué)領(lǐng)域的飛速發(fā)展,自旋作為電子的內(nèi)稟屬性之一有望突破電荷在電子器件中受到的諸多限制。據(jù)此,以研究利用電子自旋作為信息載體,通過調(diào)控和操縱自旋,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、邏輯運(yùn)算、量子計(jì)算等各種應(yīng)用功能的學(xué)科自旋電子學(xué)應(yīng)運(yùn)而生。研究過程中磁性材料作為自旋信息存儲(chǔ)介質(zhì)不斷地被提出更高的性能要求。受到信息存儲(chǔ)高速低耗的驅(qū)動(dòng),為了實(shí)現(xiàn)對(duì)磁矩運(yùn)動(dòng)的更快速的操控,研究磁性材料中磁矩在超快尺度上的運(yùn)動(dòng)規(guī)律,備受自旋電子學(xué)領(lǐng)域研究者的關(guān)注。超快脈沖激光能夠激發(fā)磁性材料迅速達(dá)到非平衡狀態(tài)即發(fā)生超快退磁現(xiàn)象并產(chǎn)生和之后的磁化恢復(fù)和磁矩進(jìn)動(dòng)等現(xiàn)象。而我們目前對(duì)磁性材料超快時(shí)間尺度的自旋行為的物理內(nèi)涵并不能系統(tǒng)深入的理解。因此,為了完成理論的研究和實(shí)現(xiàn)其作為存儲(chǔ)材料的實(shí)際應(yīng)用,我們開展了具體實(shí)驗(yàn)來研究超快脈沖激光激發(fā)磁性材料的自旋動(dòng)力學(xué)過程。此外,二維范德華（Two-dimensional van der Waals,2D vdW）磁性材料由于其中量子限制原子尺寸產(chǎn)生許多新奇的量子現(xiàn)象得以在實(shí)驗(yàn)上觀察,因而廣泛受到研究者的關(guān)注。在理解體系中電子的行為以及提高磁性材料應(yīng)用價(jià)值的過程中,使用超快光學(xué)技術(shù)對(duì)體系的光學(xué)、...

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1電荷器件中單個(gè)芯片上晶體管個(gè)數(shù)反映的摩爾定律發(fā)展歷史[5]

過磁矩繞外磁場(chǎng)方向進(jìn)動(dòng)的方式完成的，時(shí)間尺度大約在百ps至百μs量級(jí)[7][8][9]。圖1.1電荷器件中單個(gè)芯片上晶體管個(gè)數(shù)反映的摩爾定律發(fā)展歷史[5]快速操縱磁矩的翻轉(zhuǎn)對(duì)存儲(chǔ)信息應(yīng)用具有巨大的價(jià)值和潛力，相關(guān)的微電子元器件磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（MagneticRandom....

圖1.2MRAM單元的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)

圖1.2MRAM單元的簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)器件，外磁場(chǎng)作為實(shí)現(xiàn)磁化翻轉(zhuǎn)的助力使翻轉(zhuǎn)場(chǎng)的強(qiáng)度增大，磁化翻轉(zhuǎn)的時(shí)間可由之前的ns量級(jí)高外加脈沖磁場(chǎng)的強(qiáng)度和縮短外加磁場(chǎng)的作用時(shí)間的時(shí)間尺度極限[12]。顯而易見，磁存儲(chǔ)技術(shù)在實(shí)際限。光就成為了磁存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展過程中突破的契機(jī)。隨間尺度上的磁....

圖2.1不同磁動(dòng)力學(xué)過程的特征時(shí)間尺度[14]

宏觀的效應(yīng)，它強(qiáng)烈地依賴于磁性薄膜的結(jié)構(gòu)和磁疇的大小等因素，這個(gè)時(shí)間范圍可以從百μs延伸至ms量級(jí)[14]。圖2.1不同磁動(dòng)力學(xué)過程的特征時(shí)間尺度[14]

圖2.2Ni（20nm）/MgF2（100nm）膜在7mJ/cm2泵浦通量下的瞬態(tài)剩余縱向MOKE信號(hào)

6100nm）膜在7mJ/cm2泵浦通量下的瞬態(tài)剩余縱泵浦光束的情況下測(cè)量的信號(hào)。圖中實(shí)線是視

本文編號(hào)：4028151