研究了Ni/HfO2(10 nm)/Pt存儲單元的阻變特性和機理.該器件具有forming-free的性質(zhì),還表現(xiàn)出與以往HfO2(3 nm)基器件不同的復雜的非極性阻變特性,并且具有較大的存儲窗口值(>105).存儲單元的低阻態(tài)阻值不隨單元面積改變,符合導電細絲阻變機理的特征.采用X射線光電子能譜儀分析器件處于低阻態(tài)時的阻變層HfO2薄膜的化學組分以及元素的化學態(tài),結(jié)果表明,Ni/HfO2/Pt阻變存儲器件處于低阻態(tài)時的導電細絲是由金屬Ni導電細絲和氧空位導電細絲共同形成的.

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【文章目錄】：
1 引言
2 器件制作和測試
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



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