有機阻變存儲器件制備及其性能研究
發(fā)布時間:2023-02-19 13:44
隨著信息技術(shù)的迅速發(fā)展,市場對低成本、重量輕、柔性的電子產(chǎn)品的需求越來越大,傳統(tǒng)無機半導(dǎo)體器件和電路的發(fā)展正逐漸逼近其尺寸縮小和成本降低的極限。有機半導(dǎo)體材料以其在低價、柔性、質(zhì)輕等方面的獨特優(yōu)勢,已經(jīng)在眾多下一代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用中脫穎而出。本文以具有雙穩(wěn)態(tài)電阻轉(zhuǎn)變特性的有機存儲器件為研究對象,分別從材料、工藝和器件性能等方面,展開了一系列較為全面的研究。主要工作內(nèi)容如下: 1.以無機電子學(xué)及傳統(tǒng)硅基存儲技術(shù)的發(fā)展為背景,論述了有機電子學(xué)的發(fā)展歷程及研究現(xiàn)狀,同時概述了有機存儲器的研究進展及應(yīng)用潛力。 2.在有機分子薄膜的制備工藝方面,介紹了有機器件制作過程中非常重要的兩個工藝——有機分子薄膜的制備及圖案化技術(shù)。有機半導(dǎo)體材料的化學(xué)敏感、可溶等特性決定了其成膜技術(shù)的多樣性,可采用真空淀積法、溶液處理法、L-B膜法、有機氣相沉積法和電化學(xué)聚合等多種成膜方法。有機半導(dǎo)體膜的圖案化可以有效地降低相鄰器件間的串?dāng)_,提高有機器件及其集成電路的性能。常用的有機分子薄膜圖案化方法包括:鏤版技術(shù)、噴墨打印技術(shù)、印章技術(shù)、絲網(wǎng)印刷技術(shù)等。 3.選擇研究較為成熟的八羥基喹啉鋁(Alq3)有機分子材料,制備了...
【文章頁數(shù)】:74 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
目錄
第一章 緒論
1.1 有機電子學(xué)概述
1.1.1 無機電子到有機電子
1.1.2 半導(dǎo)體存儲技術(shù)的發(fā)展
1.2 有機存儲器件概述
1.2.1 有機阻變存儲器
1.2.2 有機薄膜晶體管(OTFT)存儲器
1.2.3 有機存儲器件的集成研究
1.2.4 有機存儲器的多值效應(yīng)
1.3 選題意義及研究內(nèi)容
第二章 有機半導(dǎo)體膜的制備及圖案化方法
2.1 有機半導(dǎo)體膜的制備方法
2.1.1 溶液處理法
2.1.2 真空沉積法
2.1.3 有機氣相沉積法(OVPD)
2.1.4 L-B膜法
2.1.5 電化學(xué)聚合法
2.2 有機半導(dǎo)體膜的圖案化方法
2.2.1 鏤版(Shadow mask)技術(shù)
2.2.2 噴墨打印(Inkjet printing)技術(shù)
2.2.3 印章技術(shù)(Stamp printing)
2.2.4 絲網(wǎng)印刷技術(shù)(screen printing)
2.3 本章小結(jié)
第三章 基于八羥基喹啉鋁(Alq3)的OMO結(jié)構(gòu)薄膜器件的電存儲特性
3.1 引言
3.2 八羥基喹啉鋁背景知識介紹
3.2.1 八羥基喹啉鋁的基本特性
3.2.2 八羥基喹啉鋁的研究背景
3.3 基于八羥基喹啉鋁的金屬納米晶摻雜存儲器的制備
3.3.1 器件的制備
3.3.2 金屬納米晶的表征
3.4 電學(xué)測試結(jié)果與分析
3.4.1 摻雜Au納米晶器件的存儲特性
3.4.2 摻雜Al納米晶器件的存儲特性
3.5 本章小結(jié)
第四章 基于酞菁氧鈦(TiOPc)的有機存儲器件的電存儲特性
4.1 引言
4.2 酞菁氧鈦背景知識介紹
4.3 基于TiOPc的單組分薄膜存儲器件的存儲特性
4.3.1 器件的制備
4.3.2 電學(xué)測試與分析
4.4 基于TiOPc的金納米晶摻雜存儲器的存儲特性
4.4.1 器件的制備
4.4.2 電學(xué)測試與分析
4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 論文工作總結(jié)
5.2 未來研究展望
參考文獻
攻讀碩士期間發(fā)表論文、申請專利情況
致謝
本文編號:3746330
【文章頁數(shù)】:74 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
Abstract
目錄
第一章 緒論
1.1 有機電子學(xué)概述
1.1.1 無機電子到有機電子
1.1.2 半導(dǎo)體存儲技術(shù)的發(fā)展
1.2 有機存儲器件概述
1.2.1 有機阻變存儲器
1.2.2 有機薄膜晶體管(OTFT)存儲器
1.2.3 有機存儲器件的集成研究
1.2.4 有機存儲器的多值效應(yīng)
1.3 選題意義及研究內(nèi)容
第二章 有機半導(dǎo)體膜的制備及圖案化方法
2.1 有機半導(dǎo)體膜的制備方法
2.1.1 溶液處理法
2.1.2 真空沉積法
2.1.3 有機氣相沉積法(OVPD)
2.1.4 L-B膜法
2.1.5 電化學(xué)聚合法
2.2 有機半導(dǎo)體膜的圖案化方法
2.2.1 鏤版(Shadow mask)技術(shù)
2.2.2 噴墨打印(Inkjet printing)技術(shù)
2.2.3 印章技術(shù)(Stamp printing)
2.2.4 絲網(wǎng)印刷技術(shù)(screen printing)
2.3 本章小結(jié)
第三章 基于八羥基喹啉鋁(Alq3)的OMO結(jié)構(gòu)薄膜器件的電存儲特性
3.1 引言
3.2 八羥基喹啉鋁背景知識介紹
3.2.1 八羥基喹啉鋁的基本特性
3.2.2 八羥基喹啉鋁的研究背景
3.3 基于八羥基喹啉鋁的金屬納米晶摻雜存儲器的制備
3.3.1 器件的制備
3.3.2 金屬納米晶的表征
3.4 電學(xué)測試結(jié)果與分析
3.4.1 摻雜Au納米晶器件的存儲特性
3.4.2 摻雜Al納米晶器件的存儲特性
3.5 本章小結(jié)
第四章 基于酞菁氧鈦(TiOPc)的有機存儲器件的電存儲特性
4.1 引言
4.2 酞菁氧鈦背景知識介紹
4.3 基于TiOPc的單組分薄膜存儲器件的存儲特性
4.3.1 器件的制備
4.3.2 電學(xué)測試與分析
4.4 基于TiOPc的金納米晶摻雜存儲器的存儲特性
4.4.1 器件的制備
4.4.2 電學(xué)測試與分析
4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
5.1 論文工作總結(jié)
5.2 未來研究展望
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致謝
本文編號:3746330
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