近年來存儲器產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展,隨著輸入電源電壓的降低DDR存儲器存儲空間在逐漸增大,時鐘頻率以及數(shù)據(jù)傳輸速率也在加快,對SSTL接口協(xié)議的要求也越來越高。針對于DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3、DDR4等存儲器電源應(yīng)用的場合,需要帶負(fù)載能力強(qiáng)、輸出精度高、瞬態(tài)響應(yīng)特性好以及能夠灌/拉負(fù)載的電源供電。電源管理芯片中,LDO線性穩(wěn)壓器輸出紋波小、響應(yīng)速度快、輸出精度高,結(jié)構(gòu)簡單成本低等優(yōu)點(diǎn),成為DDR存儲器供電的首選芯片。本文設(shè)計(jì)了一款兼?zhèn)銼ink/Source快速瞬態(tài)響應(yīng)的LDO線性穩(wěn)壓器芯片—XD1997,該芯片采用雙電源電壓供電,內(nèi)部輸入電壓可低至2.5V;需要一個20μF的輸出電容來實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)速度;輸出級上下功率管是NMOS推挽式輸出,可以實(shí)現(xiàn)Sink/Source 3A負(fù)載。所設(shè)計(jì)的誤差放大器采用對稱形式的OTA結(jié)構(gòu),多路電流鏡結(jié)構(gòu)使誤差放大器輸出成為低阻抗結(jié)點(diǎn)并且該極點(diǎn)位于高頻,高輸出擺率提高了LDO的瞬態(tài)響應(yīng)速度,大的G_m增大了LDO增益以及帶寬,整個系統(tǒng)是一個G_m驅(qū)動的單極點(diǎn)系統(tǒng),此外設(shè)計(jì)了靜態(tài)電流控制電路,... 

【文章頁數(shù)】：110 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

氣某準(zhǔn)由壓的瞬杰仿直圖

6甚準(zhǔn)由

7某準(zhǔn)由壓哺由順由壓亦讓圖

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種低功耗無電容型LDO的設(shè)計(jì)[J]. 王晉雄,原義棟,張海峰.  半導(dǎo)體技術(shù). 2011(04)
[2]一種低功耗、高穩(wěn)定性的無片外電容線性穩(wěn)壓器[J]. 寧志華,何樂年,劉磊,馬德.  電路與系統(tǒng)學(xué)報(bào). 2009(02)
[3]低壓降CMOS穩(wěn)壓器的電源噪聲抑制分析[J]. 胡建赟,何艷,黃晨靈,閔昊.  微電子學(xué). 2006(06)
[4]從電力電子到電源管理[J]. 張為佐.  機(jī)械制造與自動化. 2004(06)

博士論文
[1]低功耗快速響應(yīng)的片上集成LDO研究[D]. 屈熹.電子科技大學(xué) 2014
[2]集成穩(wěn)壓電路系統(tǒng)魯棒性與快速響應(yīng)研究[D]. 李演明.西安電子科技大學(xué) 2009

碩士論文
[1]高PSRR無電容型線性穩(wěn)壓器的研究與設(shè)計(jì)[D]. 康瑞.西安電子科技大學(xué) 2018
[2]低壓瞬態(tài)增強(qiáng)無片外電容LDO線性穩(wěn)壓器的研究與設(shè)計(jì)[D]. 董祖奇.西安電子科技大學(xué) 2017
[3]無片外電容瞬態(tài)增強(qiáng)的負(fù)壓線性穩(wěn)壓器XD1791的設(shè)計(jì)[D]. 劉茜.西安電子科技大學(xué) 2014
[4]具有快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)LDO設(shè)計(jì)[D]. 譚林.電子科技大學(xué) 2013
[5]兼?zhèn)銼ink和Source型大電流線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)[D]. 黃沖.西安電子科技大學(xué) 2013
[6]大負(fù)載超快速負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)低漏失CMOS線性穩(wěn)壓器[D]. 李慶委.西安電子科技大學(xué) 2011
[7]DDR SDRAM物理層的SSTL接口電路設(shè)計(jì)[D]. 張海良.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2010
[8]LDO線性穩(wěn)壓器的研究與設(shè)計(jì)[D]. 李中偉.西北大學(xué) 2009
[9]無片外電容CMOS低壓差穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)[D]. 王帥.吉林大學(xué) 2008
[10]基于動態(tài)零點(diǎn)補(bǔ)償?shù)牡蛪航稻�性穩(wěn)壓芯片的研究與設(shè)計(jì)[D]. 王進(jìn)軍.西北大學(xué) 2007



本文編號：3693681