發(fā)布時(shí)間：2022-01-05 05:59

　　電子信息存儲(chǔ)器在市場上占有越來越大的份額,越加顯示其重要性,而金屬-絕緣體-金屬（MIM）和金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)是電子信息存儲(chǔ)器最常用的結(jié)構(gòu),本文主要通過以下幾方面的研究來促進(jìn)電子信息存儲(chǔ)器的發(fā)展。1.研究原子力顯微鏡（AFM）在電子信息存儲(chǔ)器研究中的應(yīng)用;2.二維介電層在隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器（RRAM）中的可靠性;3.金屬-氧化物-半導(dǎo)體在原子力顯微鏡中零壓下產(chǎn)生電流的原因。研究表明,環(huán)境艙可以有效控制AFM的測試環(huán)境,置換艙內(nèi)氣體、降低環(huán)境艙內(nèi)相對濕度、提高AFM的分辨率,對導(dǎo)電原子力顯微鏡（CAFM）在電子信息技術(shù)方面的應(yīng)用有積極作用。二維介電層的引入開啟了RRAM的新篇章,其AFM的可靠性研究發(fā)現(xiàn),二維氮化硼的電學(xué)穩(wěn)定性高于氧化鉿,擊穿過程是逐層進(jìn)行的,器件水平的研究表明基于氮化硼的RRAM能夠穩(wěn)定運(yùn)行,上電極鈦與硼相互作用,形成導(dǎo)電細(xì)絲。氮化硼RRAM制備方法簡單并與CMOS工藝相容,利于大規(guī)模生產(chǎn)。在RRAM的研究過程中發(fā)現(xiàn),CAFM測試MOS結(jié)構(gòu)的樣品時(shí),零壓下可以產(chǎn)生電流,許多研究者有同樣的發(fā)現(xiàn),但沒有得到公認(rèn)的解釋。本文通過不同功能的CAFM以及對不同的樣品進(jìn)... 

【文章來源】：蘇州大學(xué)江蘇省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：76 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
中文摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器基本結(jié)構(gòu)和工作原理
    1.3 隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器性能參數(shù)
        1.3.1 運(yùn)行電壓
        1.3.2 運(yùn)行速度
        1.3.3 開關(guān)比
        1.3.4 壽命
        1.3.5 保持時(shí)間
    1.4 隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器機(jī)制分類
    1.5 介電層
    1.6 介電層的研究進(jìn)展
    1.7 導(dǎo)電原子力顯微鏡在該領(lǐng)域的應(yīng)用
    1.8 本論文的主要內(nèi)容及研究意義
    參考文獻(xiàn)
第二章 原子力顯微鏡環(huán)境艙的制備及在RRAM中的應(yīng)用
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)儀器及材料試劑
    2.3 環(huán)境艙的原理及制備方法
    2.4 環(huán)境艙性能研究
    2.5 原子力顯微鏡環(huán)境艙在隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器中的應(yīng)用
    2.6 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第三章 基于二維介電層隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器的制備及表征
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)儀器與材料
    3.3 H_FO_2/P_T/S_IO_2結(jié)構(gòu)的制備
    3.4 隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器的制備
        3.4.1 50nm Au/10nm Ti/BN/Cu器件的制備
        3.4.2 50nm Au/BN/Cu以及 50nm Pt/BN/Cu器件的制備
    3.5 二維氮化硼在隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器中的性質(zhì)研究
        3.5.1 氮化硼的電學(xué)可靠性研究
        3.5.2 氮化硼的擊穿
        3.5.3 氮化硼隨機(jī)阻變存儲(chǔ)器
    3.6 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第四章 MOS結(jié)構(gòu)在原子力顯微鏡中的電流
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)儀器與材料試劑
    4.3 鎳/二氧化硅/硅MOS結(jié)構(gòu)的制備
        4.3.1 大尺寸鎳/二氧化硅/硅MOS結(jié)構(gòu)的制備
        4.3.2 小尺寸鎳/二氧化硅/硅MOS結(jié)構(gòu)的制備
    4.4 銥/氧化鈦/氧化硅/硅MOS結(jié)構(gòu)的制備
    4.5 原子力顯微鏡測試電流產(chǎn)生原因
    4.6 結(jié)論
    參考文獻(xiàn)
第五章 全文總結(jié)與展望
    5.1 全文總結(jié)
    5.2 研究展望
攻讀學(xué)位期間本人出版或公開發(fā)表的論著、論文
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]An overview of resistive random access memory devices[J]. LI YingTao 1,2 , LONG ShiBing 2 , LIU Qi 2 , Lü HangBing 2 , LIU Su 1 & LIU Ming 2* 1 School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China; 2 Laboratory of Nano-Fabrication and Novel Device Integration, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China.  Chinese Science Bulletin. 2011(Z2)



本文編號：3569870