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量子點阻變存儲器件的制備及其性能研究

發(fā)布時間:2021-12-08 21:54
  當前,最廣泛使用的存儲器是Flash閃存,但是目前Flash閃存面臨著尺寸難以繼續(xù)縮小的發(fā)展瓶頸。另一方面,隨著網(wǎng)絡技術、計算機技術以及各種大眾消費類電子產(chǎn)品的發(fā)展,非易失存儲器的需求越來越大。傳統(tǒng)的存儲器器件面臨著存儲密度低、加工成本高、器件制備工藝復雜等問題已經(jīng)不能滿足未來的發(fā)展需要。為了解決這個難題,科學家們對下一代非易失存儲器進行了大量探索研究,包括磁存儲器件、鐵電存儲器件、相變存儲器件和阻變存儲器件。而這其中,阻變存儲器(RRAM)由于只需要在兩端電極間施加一定的電壓就可以實現(xiàn)電阻在高低阻態(tài)之間的轉換,它與其他的非易失性存儲器相互比較起來的話,阻變存儲器具有非常大的優(yōu)點,而且其尺寸有著繼續(xù)縮小的潛力,同時在保持特性以及數(shù)據(jù)存儲上都具有非常大的優(yōu)勢。并且與現(xiàn)有的CMOS工藝兼容性好,被普遍認為是最有希望成為下一代高密度非易失性存儲器。RRAM器件的結構是典型的電極/材料/電極的三層結構。在金屬氧化物、金屬硫化物、有機物和鈣鈦礦氧化物等中均發(fā)現(xiàn)了電阻轉變效應。按照阻變存儲材料的維度可以分為,一維材料,二維材料和三維材料。相比較于高維度材料有很多特點。本課題采用量子點材料作為阻變器... 

【文章來源】:重慶大學重慶市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:66 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

量子點阻變存儲器件的制備及其性能研究


共焦激光掃描顯微鏡下的GQDs標記的人類肺癌MCF-7細胞的圖像(a)熒光圖像(b)

關系曲線,熒光,熒光猝滅,插圖


重慶大學碩士學位論文 1 緒 論②石墨烯量子點的藥物傳送應用GQDs 也可以用來作為輸送藥物的載體,其表現(xiàn)出來了非常好的輸送性能[92]。當 PH=7,負載抗癌藥阿霉素濃度為 2.5mg/ml。透明質酸分子被瞄定到 GQDs 上,靶向運輸?shù)侥[瘤細胞。③石墨烯量子點的傳感器應用Wang 等人[93]報道了 GQDs 用于 Fe3+檢測。如圖 1.2,單純的 GQDs 的熒光和加入了 Fe3+的 GQDs 熒光。從圖中可以觀察出,加入后,GQDs 熒光幾乎完全猝滅。

合成機理,微升,加熱臺,三頸瓶


重慶大學碩士學位論文 2 實驗部分備用,并使樣品一直處于攪拌中。將 19.5 毫克的硫粉和 200 微升的油胺混合放在小口瓶中,放在加熱臺上加熱到 120 攝氏度;將 334.4 毫克的硬脂酸鋅、800 微升的十八烯和 200 微升的油胺混合在一起放在小口瓶中并在加熱臺上加熱到 120 攝氏度。先用注射器將 120 攝氏度的硫源注射到三頸瓶中,然后迅速將 120 攝氏度的鋅源注射到三頸瓶中,然后在氮氣環(huán)境中攪拌加熱 5 分鐘。5 分鐘之后,用甲苯和無水乙醇反復離心、洗滌并提純,最后得到純凈的 AgInZnS 量子點,制作流程如圖 2.1 所示。

【參考文獻】:
期刊論文
[1]Investigation of resistive switching behaviours in WO3-based RRAM devices[J]. 李穎弢,龍世兵,呂杭炳,劉琦,王琴,王艷,張森,連文泰,劉肅,劉明.  Chinese Physics B. 2011(01)

博士論文
[1]二元過渡金屬氧化物的阻變存儲器研究[D]. 謝宏偉.蘭州大學 2013
[2]基于二元金屬氧化物的阻變存儲器研究[D]. 王艷.蘭州大學 2012



本文編號:3529308

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