硬盤讀寫通道若干關(guān)鍵技術(shù)的研究與仿真
發(fā)布時(shí)間:2021-11-23 08:58
從現(xiàn)代硬盤的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,硬盤的磁頭、盤片、頭盤界面等技術(shù)均已取得長(zhǎng)足進(jìn)展,而且未來(lái)還有充足的發(fā)展空間。即便還存在一些困難,但發(fā)展方向和基礎(chǔ)理論問(wèn)題已基本確定。而隨著這些技術(shù)發(fā)展變化帶來(lái)的一個(gè)必然要求就是要解決可能超過(guò)10Gb/s的內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率并將誤碼率控制在可接受范圍之內(nèi)。目前無(wú)論是硬盤通道還是控制器、譯碼器均尚未能達(dá)到處理如此速率的技術(shù)水平。而由于硬盤技術(shù)更新?lián)Q代很快,ASIC開發(fā)成本又高昂,因此探索通道的仿真研究技術(shù)也具有重大意義。如何處理在超高密度條件下越來(lái)越嚴(yán)重的碼間干擾和道間干擾,將淹沒在各種噪聲中的微弱信號(hào)提取出來(lái),真實(shí)、高速的再現(xiàn)原始數(shù)據(jù),是讀寫通道和編解碼器必須協(xié)同解決的問(wèn)題。讀寫通道融合了復(fù)雜的模數(shù)混合信號(hào)和數(shù)字信號(hào)處理技術(shù),是現(xiàn)代硬盤必不可少的核心技術(shù)。在介紹讀寫通道的各種模型和國(guó)內(nèi)外讀寫通道研究的技術(shù)變化趨勢(shì)之后,可知對(duì)圖形化讀寫通道仿真模型的研究可為我國(guó)的磁存儲(chǔ)工業(yè)提供關(guān)鍵性系統(tǒng)結(jié)構(gòu)研究的基礎(chǔ)平臺(tái)。介紹了硬盤讀寫通道的主要結(jié)構(gòu),對(duì)通道內(nèi)各部分的工作原理做了詳細(xì)分析,按照數(shù)據(jù)流向分別對(duì)讀出和寫入過(guò)程的編解碼流程、部分響應(yīng)方式、自適應(yīng)均衡、最大似然維特比譯碼...
【文章來(lái)源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:122 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
垂直記錄技術(shù)(Perpendicular Magnetic Recording,PMR)最早由 19 世紀(jì)的丹Valdemar Poulsen提出,到了1976年,垂直記錄技術(shù)之父——日本科學(xué)家Shuaki 系統(tǒng)地闡述了垂直記錄技術(shù)的理論。上世紀(jì)末,垂直記錄技術(shù)已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)走向成熟,但直到 2005 年,采用垂直記錄技術(shù)的硬盤才真正在市場(chǎng)上出現(xiàn)圖 1-3 顯示了水平記錄技術(shù)與垂直記錄技術(shù)的原理圖。垂直記錄技術(shù)將負(fù)責(zé)記元排列方式由水平排列改為垂直排列方式,使磁單元的極性方向垂直于磁盤來(lái)的縱向排列方式相比,垂直排列的磁單元所占的盤片表面積小得多,這樣就步提高存儲(chǔ)密度。除此之外,當(dāng)磁單元被寫入后翻轉(zhuǎn) 180o,與相鄰的磁單元 鄰接方式,可以起到互相穩(wěn)定的作用,這種作用和反鐵磁性耦合介質(zhì)有異曲同在盤片膜層結(jié)構(gòu)上,為了滿足垂直記錄的要求,磁記錄層的厚度要相應(yīng)加厚,記錄層下面還要相應(yīng)增加一層軟磁底層,其作用是作為寫磁場(chǎng)返回路徑的一效地生成記錄磁頭的鏡像,使記錄磁場(chǎng)增強(qiáng)一倍,使得寫入更加方便。相對(duì)記錄的磁頭結(jié)構(gòu)也有較大變化:它的信號(hào)極很窄,可以提供很高的磁通密度的磁單元翻轉(zhuǎn);回路極則很寬,磁通密度小,不會(huì)改寫數(shù)據(jù)。
個(gè)“島”就是一個(gè)單磁疇,所以規(guī)則媒介的影響。當(dāng)規(guī)則媒介單疇磁島的中心距離為 8,若縮短到 27nm,則密度可提高到 1TbitTbit/平方英寸的存儲(chǔ)密度。由于現(xiàn)有的最先已能生成 20nm 曝光點(diǎn),使得制造小粒度規(guī)過(guò)規(guī)則媒介技術(shù)的應(yīng)用不但要在規(guī)則媒介術(shù)、伺服晶格的制造和應(yīng)用技術(shù)的配合,以規(guī)則媒介記錄技術(shù)實(shí)用化以前還需大量技術(shù)之后應(yīng)用的下一代記錄技術(shù)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]硬盤讀寫通道的FIR噪聲預(yù)測(cè)算法與仿真模型[J]. 劉春,謝長(zhǎng)生,黃浩. 計(jì)算機(jī)科學(xué). 2007(11)
[2]一種N/(N+1)型高碼率游長(zhǎng)受限碼編碼方法[J]. 劉春,王海衛(wèi),謝長(zhǎng)生,裴先登. 華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2007(11)
[3]硬盤的讀寫通道技術(shù)[J]. 謝長(zhǎng)生,劉春,王海衛(wèi). 記錄媒體技術(shù). 2007(02)
[4]硬盤的歷史、發(fā)展與未來(lái)(Ⅱ)——紀(jì)念硬盤誕生50周年[J]. 劉春,謝長(zhǎng)生. 記錄媒體技術(shù). 2007(01)
本文編號(hào):3513550
【文章來(lái)源】:華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】:122 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
硬盤內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
垂直記錄技術(shù)(Perpendicular Magnetic Recording,PMR)最早由 19 世紀(jì)的丹Valdemar Poulsen提出,到了1976年,垂直記錄技術(shù)之父——日本科學(xué)家Shuaki 系統(tǒng)地闡述了垂直記錄技術(shù)的理論。上世紀(jì)末,垂直記錄技術(shù)已經(jīng)在實(shí)驗(yàn)走向成熟,但直到 2005 年,采用垂直記錄技術(shù)的硬盤才真正在市場(chǎng)上出現(xiàn)圖 1-3 顯示了水平記錄技術(shù)與垂直記錄技術(shù)的原理圖。垂直記錄技術(shù)將負(fù)責(zé)記元排列方式由水平排列改為垂直排列方式,使磁單元的極性方向垂直于磁盤來(lái)的縱向排列方式相比,垂直排列的磁單元所占的盤片表面積小得多,這樣就步提高存儲(chǔ)密度。除此之外,當(dāng)磁單元被寫入后翻轉(zhuǎn) 180o,與相鄰的磁單元 鄰接方式,可以起到互相穩(wěn)定的作用,這種作用和反鐵磁性耦合介質(zhì)有異曲同在盤片膜層結(jié)構(gòu)上,為了滿足垂直記錄的要求,磁記錄層的厚度要相應(yīng)加厚,記錄層下面還要相應(yīng)增加一層軟磁底層,其作用是作為寫磁場(chǎng)返回路徑的一效地生成記錄磁頭的鏡像,使記錄磁場(chǎng)增強(qiáng)一倍,使得寫入更加方便。相對(duì)記錄的磁頭結(jié)構(gòu)也有較大變化:它的信號(hào)極很窄,可以提供很高的磁通密度的磁單元翻轉(zhuǎn);回路極則很寬,磁通密度小,不會(huì)改寫數(shù)據(jù)。
個(gè)“島”就是一個(gè)單磁疇,所以規(guī)則媒介的影響。當(dāng)規(guī)則媒介單疇磁島的中心距離為 8,若縮短到 27nm,則密度可提高到 1TbitTbit/平方英寸的存儲(chǔ)密度。由于現(xiàn)有的最先已能生成 20nm 曝光點(diǎn),使得制造小粒度規(guī)過(guò)規(guī)則媒介技術(shù)的應(yīng)用不但要在規(guī)則媒介術(shù)、伺服晶格的制造和應(yīng)用技術(shù)的配合,以規(guī)則媒介記錄技術(shù)實(shí)用化以前還需大量技術(shù)之后應(yīng)用的下一代記錄技術(shù)。
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]硬盤讀寫通道的FIR噪聲預(yù)測(cè)算法與仿真模型[J]. 劉春,謝長(zhǎng)生,黃浩. 計(jì)算機(jī)科學(xué). 2007(11)
[2]一種N/(N+1)型高碼率游長(zhǎng)受限碼編碼方法[J]. 劉春,王海衛(wèi),謝長(zhǎng)生,裴先登. 華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2007(11)
[3]硬盤的讀寫通道技術(shù)[J]. 謝長(zhǎng)生,劉春,王海衛(wèi). 記錄媒體技術(shù). 2007(02)
[4]硬盤的歷史、發(fā)展與未來(lái)(Ⅱ)——紀(jì)念硬盤誕生50周年[J]. 劉春,謝長(zhǎng)生. 記錄媒體技術(shù). 2007(01)
本文編號(hào):3513550
本文鏈接:http://www.sikaile.net/kejilunwen/jisuanjikexuelunwen/3513550.html
最近更新
教材專著