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DSP內(nèi)嵌存儲器接口電路的設(shè)計與研究

發(fā)布時間:2017-04-27 17:19

  本文關(guān)鍵詞:DSP內(nèi)嵌存儲器接口電路的設(shè)計與研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:隨著微電子加工工藝的快速發(fā)展,人們已經(jīng)可以把越來越多的功能模塊像處理器、存儲器、模擬電路甚至射頻電路集成在一個超大規(guī)模的芯片上,形成系統(tǒng)芯片,而在任何一個系統(tǒng)芯片中,存儲器都是一個不可缺少的重要組成部分。由于存儲器功能的獨立性,在系統(tǒng)設(shè)計中為了縮短設(shè)計周期往往直接使用IP核,但要設(shè)計出與系統(tǒng)兼容的接口電路才能使存儲器即發(fā)揮作用又不影響系統(tǒng)的性能,所以關(guān)于存儲器接口電路的設(shè)計一直是系統(tǒng)設(shè)計中的重點和難點。 數(shù)字信號處理器廣泛應(yīng)用于通信、雷達、聲納、遙感、生物醫(yī)學(xué)、機器人、控制、精密機械、語音和圖像處理等領(lǐng)域,是消費類電子產(chǎn)品中的一種基礎(chǔ)器件。本文以一款國外DSP芯片為例,詳細介紹其內(nèi)嵌的存儲器接口電路的設(shè)計,并將其中的FLASH和DARAM接口電路作為重點研究,,可以為DSP乃至SOC內(nèi)嵌存儲器接口電路的設(shè)計提供一種參考。 對于FLASH接口電路的研究,要先建立FLASH模塊的行為模型,將其與DSP核結(jié)合起來,通過DSP核執(zhí)行指令對FLASH進行操作,觀察FLASH模塊的信號變化,從而分析FLASH接口電路的工作原理,研究FLASH各種操作的算法。而DARAM是為了DSP指令集中一些特定的指令而設(shè)計的特殊的RAM,其特點在于可以在一個時鐘周期內(nèi)進行兩次讀寫操作,進行所謂“雙存取”,所以只有在執(zhí)行特定指令的時候DARAM才能體現(xiàn)其特殊性。除了分析電路功能,最后還將進行整體的電路仿真,并將部分電路移植到BCD180工藝下繪制版圖。
【關(guān)鍵詞】:數(shù)字信號處理器 內(nèi)嵌存儲器 接口電路 FLASH RAM
【學(xué)位授予單位】:沈陽工業(yè)大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2014
【分類號】:TP333
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第一章 緒論9-13
  • 1.1 研究背景與意義9-10
  • 1.2 存儲器概述10-12
  • 1.3 本文的主要內(nèi)容12-13
  • 第二章 DSP 內(nèi)嵌存儲器介紹13-22
  • 2.1 TMS320LF2407A 整體結(jié)構(gòu)13-14
  • 2.2 FLASH14-18
  • 2.3 RAM18-19
  • 2.4 ROM19-22
  • 第三章 DSP 芯片的逆向分析過程22-33
  • 3.1 集成電路逆向分析的意義與背景22
  • 3.2 TMS320LF2407A 的電路提取22-28
  • 3.2.1 識別器件23-25
  • 3.2.2 電路整理25-26
  • 3.2.3 總線提取26-27
  • 3.2.4 模塊提取27-28
  • 3.3 TMS320LF2407A 的電路仿真28-33
  • 第四章 FLASH 結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計33-47
  • 4.1 設(shè)計特點33-34
  • 4.2 FLASH 操作算法的基本思想34-36
  • 4.3 FLASH 模塊36-39
  • 4.4 FLASH 算法分析39-41
  • 4.4.1 Clear 算法40-41
  • 4.4.2 Erase 算法41
  • 4.4.3 Program 算法41
  • 4.5 FLASH 接口電路41-43
  • 4.6 FLASH 加密模塊(CSM)43-47
  • 第五章 RAM 結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計47-60
  • 5.1 靈敏放大器47-49
  • 5.2 DARAM 電路設(shè)計49-58
  • 5.2.1 地址譯碼51
  • 5.2.2 控制電路51-55
  • 5.2.3 地址選擇55
  • 5.2.4 位線選擇與存儲陣列55-58
  • 5.3 SARAM 電路設(shè)計58-60
  • 第六章 ROM 結(jié)構(gòu)及電路設(shè)計60-63
  • 第七章 版圖設(shè)計63-68
  • 7.1 6 管 SRAM 單元63-64
  • 7.2 RAM 陣列64-68
  • 第八章 電路仿真68-72
  • 8.1 FLASH 仿真驗證68-70
  • 8.2 RAM 仿真驗證70-72
  • 8.2.1 SARAM70-71
  • 8.2.2 DARAM71-72
  • 第九章 結(jié)論72-73
  • 參考文獻73-75
  • 在學(xué)研究成果75-76
  • 致謝76

【參考文獻】

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3 張慧熙,沈繼忠,顧曉燕;基于多閾值技術(shù)的低功耗D觸發(fā)器設(shè)計[J];浙江大學(xué)學(xué)報(理學(xué)版);2005年02期

4 潘立陽,朱鈞;Flash存儲器技術(shù)與發(fā)展[J];微電子學(xué);2002年01期

5 孟雷;李俊強;;嵌入式系統(tǒng)flash接口電路的實現(xiàn)[J];微計算機信息;2008年20期

6 鄭曰;李斌;黃裕泉;;一種快速、低壓的電流靈敏放大器的設(shè)計[J];微電子學(xué)與計算機;2006年06期

7 胡麟,邵志標;嵌入式高速低功耗ROM設(shè)計研究[J];西安交通大學(xué)學(xué)報;2004年12期

中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前1條

1 周清軍;嵌入式SRAM的優(yōu)化設(shè)計方法與測試技術(shù)研究[D];西安電子科技大學(xué);2009年


  本文關(guān)鍵詞:DSP內(nèi)嵌存儲器接口電路的設(shè)計與研究,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



本文編號:331068

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