本文關(guān)鍵詞：2K高速低功耗EEPROM研究與設(shè)計，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：隨著信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,半導(dǎo)體存儲器在人們工作、學(xué)習(xí)和生活中起到舉足輕重的作用,甚至影響到整個社會產(chǎn)業(yè)的發(fā)展變革。EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)作為半導(dǎo)體存儲器中小容量、低功耗的典型代表,在產(chǎn)業(yè)發(fā)展中得到了廣泛的應(yīng)用。本論文采用SMIC 0.18um 2P4M CMOS工藝設(shè)計一款2Kb串口EEPROM。該存儲器具有高速、低功耗、寬電壓范圍等優(yōu)點。為了實現(xiàn)存儲器數(shù)據(jù)的快速讀取,設(shè)計過程中列舉多種靈敏放大器設(shè)計方案,擇優(yōu)使用;為降低芯片功耗,電路里未采用LDO或DC-DC電路進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換而是直接采用電源供電,并在整個架構(gòu)設(shè)計、關(guān)鍵模塊電路的電流控制上采取一定的措施;建立3V~5.5V電壓范圍的標(biāo)準(zhǔn)單元庫,以實現(xiàn)所有模塊電路都可在3V~5.5V電壓下正常工作。論文對EEPROM內(nèi)部的模擬模塊(包括:存儲單元、基準(zhǔn)源、高壓產(chǎn)生電路、靈敏放大器)進(jìn)行了深入研究。在傳統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上進(jìn)行合理改進(jìn)并進(jìn)行單獨功能模塊的仿真驗證,在各部分達(dá)到設(shè)計要求后進(jìn)行EEPROM整體功能仿真,包括EEPROM編程、擦除、讀出功能。電路整體版圖繪制完成后,提取電路寄生參數(shù)并進(jìn)行后仿真,得到的后仿結(jié)果更接近實際應(yīng)用中電路的參數(shù)。本設(shè)計在25℃,電源電壓3V的情況下,基準(zhǔn)輸出電壓為1.26V,高壓產(chǎn)生電路輸出15.6V。靜態(tài)電流在5.5V 125℃情況下,最大值為28u A,滿足設(shè)計要求。在流片完成后還將對設(shè)計產(chǎn)品進(jìn)行實際功能測試。
【關(guān)鍵詞】：EEPROM 低功耗 帶隙基準(zhǔn) 電荷泵 靈敏放大器
【學(xué)位授予單位】：遼寧大學(xué)
【學(xué)位級別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類號】：TP333
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-11
• 引言11-13
• 0.1 半導(dǎo)體存儲器的發(fā)展與分類11-12
• 0.2 電可擦除可編程只讀存儲器存儲單元12
• 0.3 論文主要工作內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排12-13
• 第1章 電可擦除可編程存儲器結(jié)構(gòu)設(shè)計與存儲單元13-24
• 1.1 EEPROM結(jié)構(gòu)設(shè)計13-16
• 1.2 EEPROM存儲單元結(jié)構(gòu)16-18
• 1.3 EEPROM存儲單元工作原理18-22
• 1.3.1 電荷輸運機(jī)制18-20
• 1.3.2 EEPROM存儲單元的工作狀態(tài) 擦除、寫入、讀出20-22
• 1.4 EEPROM的耐久性 可靠性22-24
• 第2章 EEPROM關(guān)鍵模塊的設(shè)計與仿真24-52
• 2.1 帶隙基準(zhǔn)電壓源24-37
• 2.1.1 正負(fù)溫度系數(shù)24-28
• 2.1.2 帶隙基準(zhǔn)的內(nèi)部設(shè)計與仿真28-37
• 2.2 高壓產(chǎn)生電路37-48
• 2.2.1 電荷泵原理37-41
• 2.2.2 高壓產(chǎn)生電路總體設(shè)計41-48
• 2.3 靈敏放大器（Sense Amplifier）48-52
• 第3章 EEPROM整體電路功能仿真52-60
• 3.1 EEPROM芯片功能描述與仿真52-59
• 3.2 寬電源電壓范圍、低功耗設(shè)計59-60
• 第4章 版圖設(shè)計及后仿真60-66
• 4.1 EEPROM整體版圖設(shè)計60-62
• 4.2 版圖驗證及后仿真62-66
• 第5章 結(jié)論與展望66-68
• 5.1 結(jié)論66-67
• 5.2 進(jìn)一步工作的方向67-68
• 致謝68-69
• 參考文獻(xiàn)69-71
• 攻讀學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文及參加科研情況71-72

【參考文獻(xiàn)】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前2條

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2 郭婷婷;劉明;管偉華;胡媛;李志剛;龍世兵;陳軍寧;;納米晶浮柵存儲器的模擬、制備和電學(xué)特性[J];微納電子技術(shù);2009年02期

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本文編號：292675