本文關(guān)鍵詞：基于Nand Flash的大容量存儲(chǔ)裝置的設(shè)計(jì)與研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：Nand Flash——非易失存儲(chǔ)介質(zhì)中的一種,以更寬的溫度范圍、高抗震動(dòng)性能、高可靠性等諸多優(yōu)點(diǎn)被廣泛地應(yīng)用在了高速、低功耗的存儲(chǔ)裝置中。在現(xiàn)代的航天、軍用設(shè)備等領(lǐng)域內(nèi)中要對(duì)各種信息進(jìn)行高速采集，這些場(chǎng)合都需要高速、大容量的存儲(chǔ)裝置予以配合存儲(chǔ)。 本文先調(diào)研、分析了存儲(chǔ)裝置，尤其是大容量裝置的研究背景，以國(guó)內(nèi)外的研究發(fā)展為背景，針對(duì)在動(dòng)態(tài)信號(hào)測(cè)試過(guò)程中多通道數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的實(shí)際需求，設(shè)計(jì)了一款大容量存儲(chǔ)裝置。該存儲(chǔ)裝置在單片Nand Flash的基礎(chǔ)上搭建了存儲(chǔ)陣列，該陣列是存儲(chǔ)裝置的功能主要體現(xiàn)之處。在裝置輸入端接收8路高速LVDS圖像數(shù)據(jù)，單路圖像的數(shù)據(jù)格式為：320（列）256（行）16（位）。在FPGA主控芯片的控制下將這些數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)陣列中，針對(duì)FPGA內(nèi)部的數(shù)據(jù)傳輸設(shè)計(jì)了專(zhuān)用的DMA傳輸方式，避免時(shí)間耗損。針對(duì)Flash芯片在編程階段不會(huì)響應(yīng)別的操作，設(shè)計(jì)了分時(shí)加載存儲(chǔ)技術(shù)以提高平均存儲(chǔ)速度。在文章中分別從硬件、軟件兩方面來(lái)闡述了LVDS接收、數(shù)據(jù)的傳輸及控制等模塊，為保證大容量存儲(chǔ)裝置的可靠性，重點(diǎn)闡述了在nand Flash中數(shù)據(jù)的BCH糾錯(cuò)碼、壞塊的編碼管理、均衡損耗等。因壞塊在編碼管理過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)同位置壞塊問(wèn)題，又設(shè)計(jì)了壞塊表重構(gòu)技術(shù)。 系統(tǒng)選用了Altera公司的cyclone III系列的FPGA來(lái)控制整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)，，系統(tǒng)時(shí)鐘是50MHz。通過(guò)分析實(shí)驗(yàn)中所獲取的數(shù)據(jù)，說(shuō)明構(gòu)建的nand Flash存儲(chǔ)陣列裝置可以有效可靠地記錄數(shù)據(jù)、有效快速地管理壞塊，滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，具有很高的實(shí)用價(jià)值。
【關(guān)鍵詞】：Nand Flash 大容量 存儲(chǔ)陣列 壞塊編碼管理 FPGA
【學(xué)位授予單位】：中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TP333
【目錄】：

• 摘要4-5
• Abstract5-9
• 1 緒論9-17
• 1.1 課題研究的目的及意義9-10
• 1.2 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)狀10-15
• 1.2.1 硬盤(pán)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀10-11
• 1.2.2 固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀11-14
• 1.2.3 高速存儲(chǔ)裝置的國(guó)內(nèi)外現(xiàn)狀14-15
• 1.3 本文的內(nèi)容及結(jié)構(gòu)安排15-17
• 2 系統(tǒng)設(shè)計(jì)和方案設(shè)計(jì)17-22
• 2.1 系統(tǒng)組成部分17
• 2.2 技術(shù)指標(biāo)17-18
• 2.3 總體方案設(shè)計(jì)18-21
• 2.3.1 設(shè)計(jì)原則18
• 2.3.2 器件選擇18-20
• 2.3.3 系統(tǒng)原理框圖20-21
• 2.4 本章小結(jié)21-22
• 3 硬件電路的設(shè)計(jì)與系統(tǒng)工作原理22-32
• 3.1 高速 PCB 效應(yīng)22-24
• 3.2 電源部分24-25
• 3.3 LVDS 接收部分25-27
• 3.4 隔離電路27
• 3.5 FPGA 外圍電路27-29
• 3.6 存儲(chǔ)陣列模塊29-31
• 3.6.1 存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展29
• 3.6.2 存儲(chǔ)速度的提高29-30
• 3.6.3 存儲(chǔ)陣列模型的構(gòu)建30-31
• 3.7 本章小結(jié)31-32
• 4 Flash 高速傳輸與可靠性研究32-52
• 4.1 DMA 傳輸32-35
• 4.1.1 FIFO 數(shù)據(jù)緩存容量以及系統(tǒng)存儲(chǔ)速度計(jì)算34-35
• 4.2 BCH 碼糾錯(cuò)35-41
• 4.3 均衡損耗41-46
• 4.3.1 動(dòng)態(tài)均衡損耗44-45
• 4.3.2 靜態(tài)均衡損耗算法45-46
• 4.4 壞塊管理46-51
• 4.4.1 壞塊識(shí)別47-48
• 4.4.2 壞塊替換48-49
• 4.4.3 并行存儲(chǔ)壞塊編碼設(shè)計(jì)49-50
• 4.4.4 壞塊策略?xún)?yōu)化設(shè)計(jì)50-51
• 4.5 本章小結(jié)51-52
• 5 系統(tǒng)功能測(cè)試與可靠性分析52-58
• 5.1 測(cè)試系統(tǒng)概述52
• 5.2 系統(tǒng)功能測(cè)試52-57
• 5.2.1 壞塊管理測(cè)試52-54
• 5.2.2 數(shù)據(jù)測(cè)試分析54-57
• 5.3 本章小結(jié)57-58
• 6 總結(jié)與展望58-60
• 6.1 論文工作總結(jié)58
• 6.2 展望58-60
• 參考文獻(xiàn)60-63
• 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文及所取得的研究成果63-64
• 致謝64-65

【參考文獻(xiàn)】

中國(guó)期刊全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條

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  本文關(guān)鍵詞：基于Nand Flash的大容量存儲(chǔ)裝置的設(shè)計(jì)與研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

本文編號(hào)：290849